1) semiconductor laser
半导体激光
1.
Endoscopic neurosurgery combined with semiconductor laser on hydrocephaly and intracerebral cysts;
半导体激光配合神经内窥镜治疗脑积水和颅内囊肿
2.
Clinical observation of semiconductor laser and sling traction in the treatment of sciatica;
半导体激光并悬吊牵引治疗坐骨神经痛的临床观察
2) diode laser
半导体激光
1.
Long-term curative effect of diode laser transscleral cyclophotocoagulation for neovascular glaucoma;
半导体激光经巩膜睫状体光凝术治疗新生血管性青光眼的远期疗效
2.
Long-term effect of transscleral diode laser cyclophotocoagulation in treatment of refractory glaucoma;
半导体激光经巩膜睫状体光凝术治疗难治性青光眼的远期疗效观察
3.
Contact transscleral diode laser cyclophotocoagulation for refractory glaucoma;
接触式半导体激光经巩膜睫状体光凝术治疗难治性青光眼疗效观察
3) semi-conductor laser
半导体激光
1.
The clinical observation of cervicalprotrusion through semi-conductor laser with manipulation massage treatmant;
半导体激光并牵引下推拿法治疗颈椎间盘突出症临床观察
2.
The long term effect of semi-conductor laser in treating central serous chorioretinopathy.;
半导体激光治疗中心性浆液性脉络膜视网膜病变
3.
The clinical observation of semi-conductor laser treatment of hypersensitive dentine;
半导体激光治疗牙齿感觉过敏症的临床观察
4) laser diode
半导体激光
1.
808nm Quasi-CW laser diode stack with polarization coupling
808nm准连续半导体激光迭阵偏振耦合技术
2.
Conclusion Laser diode pulposus vaporization has been found to be an effective,rapid,reliable,outpatient,minim.
方法 对 4 9例行平均 2 5 0 0焦耳(J)量半导体激光汽化 ,并进行 3个月短期疗效观察。
3.
In the new wire diameter online measurement system proposed, laser diode was used as the point light source to emit spheric waves passing through a wire.
提出一种细丝直径在线测量方法,利用半导体激光作为点光源,发出球面波;通过细丝后在其后菲涅耳衍射区留下阴影,测量阴影宽度可得细丝直径;同时,利用两个相距一定距离的点光源对同一细丝投影,测量两个投影之间的距离可得细丝位置的晃动量,从而校正直径测量值。
5) laser diode bar
半导体激光
1.
The collimating performance of hyperboloid cylinder-plane lens to the beam of laser diode bar;
双曲柱面—平面透镜对半导体激光光束的准直性能
2.
Analyses about the beam of laser diode bar collimated by a cylindrical lens;
用圆柱透镜准直半导体激光光束的分析
6) laser-semiconductor
激光半导体
1.
： This paper is concerned with mathematical model of laser- semiconductor.
研究了激光半导体器件数学模型，通过构造不变区域和利用 Schauder不动点定理，在 Dirichlet边界条件下得到了整体光滑解的存在性和唯一性 ,以及器件尺寸在某一方向适当窄的条件下得到了平衡解的存在性和唯一性。
补充资料：半导体激光材料
半导体激光材料
semiconductor laser materials
半导体激光材料Semieonduetor laser mate-rials用于产生激光的半导体材料。在这种半导体材料中，导带电子与价带空穴发生带间直接复合，从而发出能量相当于禁带宽度的光子，称为复合发光。这一跃迁过程除了要保持能量守恒外，还要保持动量守恒。因此，要求这种半导体材料是直接带隙材料，即在动量空间(h空间)中导带底的位置与价带顶的位置相同。一般价带顶的位置在h空间的原点，因此要求导带底能谷的位置也在k空间的原点。当采用电流注入、光泵或电子束泵浦方法使这种材料中产生非平衡载流子时，复合发光就发生了。如果非平衡载流子浓度达到一个很高的水平，以至于达到粒子数反转分布时，由于光的受激发射，一定波长的光在这种材料中传输时就会得到放大，当有一个谐振腔存在时，在一定条件下，就会发生振荡，产生激光。 结构为了在半导体激光材料中形成粒子数反转分布，要向材料中注入非平衡载流子，并使其集中在一个小体积中以提高载流子浓度。为此半导体激光材料要做成一定的结构。PN结是半导体激光材料的基本结构，故半导体激光器常被称为二极管激光器，或称激光二极管、结型激光器。常用半导体激光材料的结构可分为普通PN结结构、量子阱结构、超晶格结构、应变层超晶格结构和应变层量子阱结构。其中超晶格结构是一种新型激光材料。 普通PN结结构有同质结、单异质结和双异质结3种(图1)。图a为同质结，b为单异质结，c为双异质结。由图可知，在双异质结结构中，由于有源区两侧的限制层具有较大的禁带宽度，注入的载流子被集中在很薄的有源区中。在同样的注入电流下可以获得很高的载流子浓度，有利于粒子数反转。此外，有源区的折射率较高，在两侧的低折射率限制区的包围下形成一个平板波导，产生的光子被限制在该波导中传输，不会泄漏出去而产生额外的损耗。因此，双异质结激光器的闭值很低，光束质量也较好。注百{土’‘{一b百…生乞’‘〔一子巨二’‘…生 图1 PN结结构和禁带宽度与折射率分布 量子阱结构当有源层的厚度减小到10nm量级时，电子和空穴的能量发生量子化，形成电子或空穴的势阱。一个量子阱结构的称单量子阱(图Za)。当势垒层足够厚时，以致相邻势阱之间载流子波函数之间祸合很小，将形成许多分离的量子阱，这样的多层结构称为多量子阱(图Zb)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条