1) compound metal oxide
复合型金属氧化物
2) mixed metal oxide
复合金属氧化物
1.
Research on mixed metal oxide catalyst for NO_x removing;
复合金属氧化物选择性催化还原NO_x的研究
2.
Study on preparation and structure of CuO-ZnO-Al_2O_3 mixed metal oxides;
新型CuO-ZnO-Al_2O_3复合金属氧化物的制备及其结构研究
3) mixed metal oxides
复合金属氧化物
1.
This paper introduced the preparations,properties and applied situation of a few catalysts for catalytic removal of nitrogen oxide,which were mixed metal oxides, zeolites, coated noble metals and hydrotalcite like compounds(HTLcs).
综述了催化消除NOx 的几种催化剂———复合金属氧化物、分子筛催化剂、负载型贵金属及类水滑石化合物的制备、特性及应用现状 ,并着重叙述了类水滑石化合物作为催化剂以及催化剂前驱体对氮氧化物消除 (DeNOx)的催化性能及应
2.
In order to realize the application of layered double hydroxides (LDHs) and mixed metal oxides (MMO) in waste water treatment, preparation and oriented assembly of LDHs and MMO nanoparticles have been investigated, and the capacities and mechanisms of removing sulfide anions (S~(2-)) and methyl orange (MO) have been systematically investigated.
本论文从废水处理的角度出发，研究了层状复合金属氢氧化物(Layered double hydroxides，简写为LDHs)及复合金属氧化物(MixedMetal Oxides，简写为MMO)纳米粒子的制备及有序组装，并将其用于以S~(2-)为代表的无机阴离子污染物和以甲基橙(Methyl Orange，简写为MO)为代表的有机阴离子污染物的去除，考察了反应物的结构与去除性能的关系，对去除机理进行了系统而深入的研究。
3.
The system of mixed metal oxides,La2-xSrxCuO4 and La2-xSrxNiO4,supported on a certain kind of mullite particles with size of 28~50 mesh, are prepared with citric acid method, and are characterized by means of XRD and SEM.
本文采用28～50mesh的莫来石颗粒为载体，以柠檬酸盐法制备了一系列负载型La_(2-x)Sr_xCuO_4和La_(2-x)Sr_xCuO_4复合金属氧化物催化剂，XRD和SEM表征了它们的结构，并在CO氧化和N_2O分解的反应中进行了活性和动力学的研究。
4) complex metal oxides
复合金属氧化物
1.
Preparation and characterization of NiFe complex metal oxides;
镍铁复合金属氧化物的制备与表征
5) composite metal oxide
复合金属氧化物
1.
The results indicated that calcination of intercalated LDHs samples could give rise to the formation of composite metal oxides containing Ti and Mo,and calcination temperature had a significant effect on the composite a.
研究发现,MoO42--LDHs在500℃焙烧,产物在丙烯环氧化反应中具有较高的催化活性,这与形成一定结合形式和组成的多元复合金属氧化物有关。
2.
The copper-based multi-composite metal oxides was obtained derived from hydrotalcite prepared by separate nucleation and aging steps,and the structure,morphology,reducibility and catalytic property of this composite were furtherly studied.
本论文针对目前水滑石制备的单一性,尝试采用一系列新的合成方法制备了水滑石层状材料,我们对其制备条件及形成历程进行了探索;以成核晶化隔离法合成的水滑石前体通过高温焙烧得到了铜基多元复合金属氧化物,并对其结构、形貌、还原性能、催化1,4-环己烷二甲酸二甲酯的加氢性能进行了研究。
3.
Different species of composite metal oxide were prepared by various methods.
复合金属氧化物作为一种新型电极材料,不仅具有优良的电容特性,而且能够实现材料性能和成本的合理平衡。
6) Mixed Metal Oxide Catalysts
复合金属氧化物
1.
The Progress and Prospect in Reserch of Isobutene’s Selective Oxidation by Mixed Metal Oxide Catalysts;
复合金属氧化物催化剂上异丁烷的选择氧化的研究
2.
The MoVTeNbOx mixed metal oxide catalysts are considered to be the best catalysts in this catalytic reaction.
MoVTeNbOx复合金属氧化物催化剂被认为是目前对于该反应催化性能最好的一类催化剂。
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条