1) lattice energy
点阵能
1.
On the basis of the expenience summed up by the predecessors, to improve the calculative formula of lattice energy by analysing the relations among electric potential of Crystal internal lattice point with Madelung constant, the valid nuclear electricity Z * - in cation and the negetive charge Z - in anion.
在前人经验的基础上 ,通过分析晶体内部点阵点的电位与马德隆常数和阳离子有效核电荷数Z + ,以及阴离子所带形式电荷Z-的关系 ,改进了点阵能的计算公式为 :V0 =1389。
2) lattice
点阵
1.
Design of Lattice Electron Display Screen Based on SPCE061A;
基于SPCE061A的点阵电子显示屏设计
2.
The Realization of Chinese Characters and Pictures s Lattice for Single-Chip Computer System;
单片机系统汉字及图形点阵的实现
3.
Using the analytical methord of reciprocal lattice, the author has approched the relationship between the wide crystallographic planes(HKL)and crystal interplannar specings d_(HKL), and the crystallographic planes(hkl) and crystal interplanar spacings d_(hkl).
用倒易点阵分析法探讨Bravais晶格点阵广义晶面(HKL)及面间距d_(HKL)与晶面(hkl)及面间距d_(hkl)之间关系。
3) dot matrix
点阵
1.
Selection of dot matrix LCD module and design of interface;
图形点阵液晶显示模块的选用及其接口设计
2.
Naxi hieroglyph of dot matrix and vector and curve generativity;
从点阵到矢量再到曲线的纳西象形文生成
3.
Pattern of Chinese traditional settlements is introduced,which has particular dot matrix features of traditional architecture.
介绍了中国传统聚落的模式,指出它具有传统建筑所独有的点阵特点,并列举了能够将充满个性的“点”通过彼此和谐联系的“阵”结合的实例,并以此来启发当代建筑的设计思路,使其在居住建筑中得到体现,值得当代建筑师们思考。
4) matrix
点阵
1.
The arrangement precept of fundamental element matrix was introduced,with the row and column number of the fundamental element matrix,the relative height of the fundamental element on the same side,the relative location of the upper and lower fundamental element matrix were studied.
从基本体点阵的行列数量、同一侧基本体点阵中各基本体相对位置关系以及上下基本体点阵的位置关系三方面对基本体点阵的排列方案进行了研究,并结合试验进行了验证。
2.
On the basis of the funhamental methad by using ED-A series matrix LCD to display chinese characters, an approach to utilize a medial scale LCD s driving module T- 6963- C is presented.
本文在介绍ＥＤ—Ａ系列点阵液晶显示汉字基本方法的基础上，给出一种中型点阵液晶的驱动模块－Ｔ６９６３Ｃ的使用方法，利用它作为驱动模块的ＤＭＦ－５０００系列液晶显示器，可以显示用户需要的图形和字符。
5) coincidence site lattice
重位点阵
6) lattice materials
点阵材料
1.
To get lattice materials with higher loading capacity than honeycombs and foams but much lighter,unit lattice cell structures were studied.
为了制备新型轻质高强材料,研究了满足拉伸主导型设计和临界细长比限制的点阵材料构形特征。
参考词条
补充资料：点阵能
也称晶格能，是指由相互远离的气态离子或分子形成 1摩尔化合物晶体时所释放出的能量（更严谨的定义还须指定温度），因晶体具有点阵式的周期性结构，故得名。如对由正、负离子M+和X-组成的离子晶体，下式中的U 即形成1摩尔离子化合物MX的点阵能：
M+(气态)＋X-(气态)─→MX(晶态)＋U
点阵能是衡量晶体中离子间或分子间键结合能大小的一个量度，是阐明晶体物理、化学性质的重要物理量。分子晶体的点阵能因以分子间作用力为基础，比离子晶体的点阵能要小得多。例如,分子氮晶体的点阵能是7.1千焦/摩尔,而离子晶体氯化钠的点阵能为757.3千焦/摩尔。
M.玻恩和A.朗德在1918年提出了二元型离子晶体点阵能的理论公式：
式中N为阿伏伽德罗数；m为与离子电子构型有关的玻恩指数；r0为最邻近的正、负离子的平衡距离（即离子键长）；w+和w-为正、负离子的电价；e为电子的电量；α为马德伦常数，它与离子晶体的结构类型有关,例如,氯化钠型和立方硫化锌型晶体的 α值分别为1.748与1.638。以氯化钠型结构的α值为例：
式中第一项的分子数 6代表与正离子最邻近的负离子数，分母数1是以r0为单位的正、负离子间距离;第二项的分子数12是正离子和次邻近的正离子数,分母数是以r0为单位的相应正、正离子间的距离，其余项可类推。显然，α 的导出是以库仑静电作用为基础的。
点阵能较难由实验直接测定，但可根据玻恩－哈伯热化学循环,由金属元素M（气体）的电离能、非金属元素X(气体)的电子亲和能、M（晶体）的升华热和MX（晶体）的生成热等有关的热效应间接推算出来。
M+(气态)＋X-(气态)─→MX(晶态)＋U
点阵能是衡量晶体中离子间或分子间键结合能大小的一个量度，是阐明晶体物理、化学性质的重要物理量。分子晶体的点阵能因以分子间作用力为基础，比离子晶体的点阵能要小得多。例如,分子氮晶体的点阵能是7.1千焦/摩尔,而离子晶体氯化钠的点阵能为757.3千焦/摩尔。
M.玻恩和A.朗德在1918年提出了二元型离子晶体点阵能的理论公式：
式中N为阿伏伽德罗数；m为与离子电子构型有关的玻恩指数；r0为最邻近的正、负离子的平衡距离（即离子键长）；w+和w-为正、负离子的电价；e为电子的电量；α为马德伦常数，它与离子晶体的结构类型有关,例如,氯化钠型和立方硫化锌型晶体的 α值分别为1.748与1.638。以氯化钠型结构的α值为例：
式中第一项的分子数 6代表与正离子最邻近的负离子数，分母数1是以r0为单位的正、负离子间距离;第二项的分子数12是正离子和次邻近的正离子数,分母数是以r0为单位的相应正、正离子间的距离，其余项可类推。显然，α 的导出是以库仑静电作用为基础的。
点阵能较难由实验直接测定，但可根据玻恩－哈伯热化学循环,由金属元素M（气体）的电离能、非金属元素X(气体)的电子亲和能、M（晶体）的升华热和MX（晶体）的生成热等有关的热效应间接推算出来。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。