1) RF magnetic properties
射频磁性
2) r.f. reactive magnetron sputtering
射频反应性磁控溅射
3) Radio-frequency electromagnetic wave
射频电磁波
4) radiofrequency electromagnetic fields
射频电磁场
1.
Therefore the growing radiofrequency electromagnetic fields (RF EMF) exposure emitted by mobile phone in the range of 800 to 2000 MHz, mainly 900 and 1800 MHz, has raised public concerns about its potential health hazard.
随着移动通信事业的快速发展，手机使用人群日益扩大，环境中由手机及其基站产生的800-2000 MHz手机射频(以900和1800 MHz为常见)辐射范围和强度不断增大，从而引起人们对移动通信安全性和射频电磁场暴露的担忧。
2.
Mobile telecommunications has notably expanded recently, and results in increasing concerns for possible adverse effects induced by radiofrequency electromagnetic fields (RF EMF) emitted from mobile phones (MPs) on public health.
0W／kg作为射频电磁场(简称射频场)暴露的安全限值。
5) high-frequency magnetic properties
高频磁性
1.
Structures and high-frequency magnetic properties of CoZn-X type barium hexaferrites;
CoZn-X型钡铁氧体的结构与高频磁性
2.
Effects of Bi2O3 doping on the mcrostructure and high-frequency magnetic properties of low-temperature sintered Co-Ti substituted barium ferrites;
Bi_2O_3对低烧Co-Ti替代钡铁氧体显微结构与高频磁性的影响
6) radio-frequency magnetron sputtering
射频磁控溅射
1.
Nanometer TiO_2-CeO_2 composite films on flexible polyethylene terephthalate substrate were fabricated by radio-frequency magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射法在柔性基体聚对苯二甲酸乙二醇酯上制备了纳米TiO_2-CeO_2复合薄膜。
2.
Metal aluminum films were deposited on AAO templates by radio-frequency magnetron sputtering.
用射频磁控溅射法在阳极氧化铝模板表面制备了金属铝膜。
3.
TiB_2 coatings were prepared by radio-frequency magnetron sputtering technique on the substrates of steel and silicon.
利用射频磁控溅射技术在硅和钢片上沉积了TiB2涂层。
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条