1) photocathode
[,fəutəu'kæθəud]
光阴极
1.
Mechanism analysis and experiment research of Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs photocathode spectral response extending to short wave;
Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs光阴极光谱响应向短波延伸的机理分析和实验研究
2.
Research on quantum efficiency of X-ray photocathode;
X射线光阴极量子效率的研究
3.
Calculation of quantum efficiency of alkali halide photocathode materials in the extreme ultraviolet region
极端紫外波段碱卤化物光阴极材料量子效率计算
2) photo-cathode
光阴极
1.
Research of photo-cathode RF gun and superconducting accelerator experiment;
光阴极注入器超导加速腔集成实验研究
3) cathodoluminescence
阴极发光
1.
The Application of Cathodoluminescence Technology in Studying Oil and Gas Reservoirs;
阴极发光技术在储层研究中的应用
2.
Characteristics and diagenetic environments of source rocks by cathodoluminescence;
应用阴极发光技术研究母岩性质及成岩环境
3.
The cathodoluminescence and trace elements in carbonate minerals;
碳酸盐矿物的阴极发光性与微量元素的关系
4) photocathode
[,fəutəu'kæθəud]
光电阴极
1.
In-situ Spectral Response Measurement of the Multi-Alkali Photocathodes;
多碱光电阴极光谱响应在线测试结果与分析
2.
Quantitative Angle Dependent XPS Studies of Activation of GaAs Photocathode;
用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺
3.
Property Evaluation of NEA Photocathodes;
负电子亲和势光电阴极评估技术研究
5) cathode luminescence
阴极发光
1.
The common colour of jadeite jade which consists of jadeite, is green to yellow green with dark to middle bright under cathode luminescence.
在阴极发光下翡翠的主要矿物成分硬玉通常发暗—中亮绿—黄绿色光 ;当硬玉成分较纯时发亮紫红色光 ;当硬玉中不含铁而含钙和锰时往往发中—亮紫蓝色光和白色光。
2.
In this paper,the basic features of quartz and the theoretic basis for quartz to be taken as a tracer for material source are summarized,and the material source tracing methods to use scanning electron microscope,mass spectrometer,electron spin resonance(ESR) and cathode luminescence and the feasibility of these methods are introduced in detail.
综述了石英的性质和它作为有效指示剂来示踪物源的理论基础,进而详细介绍了使用扫描电镜、质谱、电子自旋共振和阴极发光等仪器对石英矿物的表面微结构、氧同位素比值、形成年龄和阴极发光颜色等特征进行研究来追踪物源的方法以及这些方法的可行性。
3.
Characteristics of cultured pearls and treated pearls are studied by cathode luminescence microscope.
通过阴极发光仪对养殖珍珠和处理养殖珍珠的阴极发光特征进行了研究,结果表明:在阴极射线激发下,淡水养殖和处理珍珠发黄绿或绿色光,而各色海水养殖和处理珍珠不发光;阴极显微观察可见部分处理珍珠层的表面微破损。
6) Cathodoluminescence
阴极荧光
1.
Based on the analyses of SEM image and cathodoluminescence spectra measured around V-defects, the correlation between V-defect formation and indium segregation was clarified.
根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AlInGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系。
2.
A practical microarea ultravioletvisible cathodoluminescence detection scheme has been constructed and fitted on a JCXA733 electron probe microanalysis (EPMA) instrument which can observe both invisible and visible luminescence phenomena from the microarea surface of solid samples.
在JCXA 733电子探针上采用一种实用的微区紫外 可见阴极荧光的探测方案对河北唐山石英砂岩的微小次生加大边进行阴极荧光分析,结果表明它们具有波长为287nm、300～330nm和380nm光谱形状各异的紫外荧光。
3.
The principle, advantages as well as application of the soft template transfer technique and method of cathodoluminescence measurement are described and discussed respectively in detail.
最后对阴极荧光(CL)分析方法的原理、特点和应用进行了较为详细的说明。
补充资料：负电子亲和势光阴极
表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O)。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极（如GaAs:Cs）（图1）。
1963年美国 R. E.西蒙斯根据半导体能带理论提出负电子亲和势概念。1965年荷兰J.J.席尔和J.范拉制成GaAs:Gs光阴极。人们又制出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光阴极，如 InP，GaxIn1-xAs(0<1)，GayIn1-yPzAs1-z（0<1，0<1)等，统称为Ⅲ-Ⅴ族化合物负电子亲和势光阴极。
对负电子亲和势光阴极表面吸附的Cs-O层的解释，有异质结和偶极子两种模型（图2）。异质结模型认为，Cs-O表面层是一层体状的、具有N型半导体性质的Cs2O,它与P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体（如掺Zn的GaSb）接触，形成异质结。此模型给出在表面吸附层内有一界面势垒（约 1.2电子伏）。根据偶极子模型，Cs-O层是很薄的Cs偶极子与Cs2O偶极子串联的双偶极子,其厚度约8埃。这与单原子尺度的实验是一致的。
光阴极分反射式和透射式两种。入射光的方向与电子发射的方向相反，称为反射式；入射光的方向与电子发射的方向相同，称为透射式。
透射式GaAs光阴极的灵敏度最高可达2毫安/流，量子效率(电子/光子)为27％，表面逸出几率为42％,λth为0.9微米。
实验证明，Eg<1.2电子伏（即λth>1微米）的 Ⅲ-Ⅴ族化合物的激活条件比较临界，难以获得最佳表面状态而且长波量子效率很低。这是由于Ⅲ- Ⅴ族化合物发射层与Cs-O表面吸附层形成的界面势垒所致。当发射层的Eg<1.2电子伏时，被激发到导带底相应能量的电子被这个界面势垒所"阻挡"而不能逸至真空。应用偏压辅助场则使被"阻挡"的电子获得附加的能量，越过这个界面势垒或利用隧道效应穿过这个界面势垒，在外电场的作用下发射至真空中，从而提高λth>1 微米的量子效率。为了进一步改善电子在晶体内的传输性能，以便得到最优化条件,可将入射光的吸收层与电子发射层分开,这就是转移电子负电子亲和势光阴极。实际上在同一个 Ⅲ-Ⅴ族化合物负电子亲和势光阴极中可同时使用偏压辅助场和转移电子的工艺。
透射式Ⅲ- Ⅴ族化合物负电子亲和势光阴极的光谱响应范围在一定的条件下是可以设计的，其λth受窗口玻璃或衬底的限制;而λth并决定于发射体的Eg。设计时须注意选择衬底、过渡层（突变或缓变）、发射层、窗口玻璃的光学性能（除发射层吸收入射光以外，其他各层对入射光应尽可能透过）、晶体性能（衬底与外延层的晶格要匹配）、热性能（各层的热膨胀系数要接近）和选择性腐蚀液。
反射式Ga0.23In0.77As光阴极的λth约为2.1微米。为使λth再向长波延长, 只有选择Eg比较小的三元或四元Ⅲ-Ⅴ族化合物，例如InPxAs1-x，GaxIn1-xSb，InPxSb1-x，GaxIn1-xAsyP1-y(以上),InPxAsySbz(x+y+z=1)。要实现这些Ⅲ-Ⅴ族化合物负电子亲和势光阴极,首先要解决多 层异质外延生长,其次要解决光阴极的冷却（因为λth越长，则热发射越大）。
1963年美国 R. E.西蒙斯根据半导体能带理论提出负电子亲和势概念。1965年荷兰J.J.席尔和J.范拉制成GaAs:Gs光阴极。人们又制出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光阴极，如 InP，GaxIn1-xAs(0
对负电子亲和势光阴极表面吸附的Cs-O层的解释，有异质结和偶极子两种模型（图2）。异质结模型认为，Cs-O表面层是一层体状的、具有N型半导体性质的Cs2O,它与P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体（如掺Zn的GaSb）接触，形成异质结。此模型给出在表面吸附层内有一界面势垒（约 1.2电子伏）。根据偶极子模型，Cs-O层是很薄的Cs偶极子与Cs2O偶极子串联的双偶极子,其厚度约8埃。这与单原子尺度的实验是一致的。
光阴极分反射式和透射式两种。入射光的方向与电子发射的方向相反，称为反射式；入射光的方向与电子发射的方向相同，称为透射式。
透射式GaAs光阴极的灵敏度最高可达2毫安/流，量子效率(电子/光子)为27％，表面逸出几率为42％,λth为0.9微米。
实验证明，Eg<1.2电子伏（即λth>1微米）的 Ⅲ-Ⅴ族化合物的激活条件比较临界，难以获得最佳表面状态而且长波量子效率很低。这是由于Ⅲ- Ⅴ族化合物发射层与Cs-O表面吸附层形成的界面势垒所致。当发射层的Eg<1.2电子伏时，被激发到导带底相应能量的电子被这个界面势垒所"阻挡"而不能逸至真空。应用偏压辅助场则使被"阻挡"的电子获得附加的能量，越过这个界面势垒或利用隧道效应穿过这个界面势垒，在外电场的作用下发射至真空中，从而提高λth>1 微米的量子效率。为了进一步改善电子在晶体内的传输性能，以便得到最优化条件,可将入射光的吸收层与电子发射层分开,这就是转移电子负电子亲和势光阴极。实际上在同一个 Ⅲ-Ⅴ族化合物负电子亲和势光阴极中可同时使用偏压辅助场和转移电子的工艺。
透射式Ⅲ- Ⅴ族化合物负电子亲和势光阴极的光谱响应范围在一定的条件下是可以设计的，其λth受窗口玻璃或衬底的限制;而λth并决定于发射体的Eg。设计时须注意选择衬底、过渡层（突变或缓变）、发射层、窗口玻璃的光学性能（除发射层吸收入射光以外，其他各层对入射光应尽可能透过）、晶体性能（衬底与外延层的晶格要匹配）、热性能（各层的热膨胀系数要接近）和选择性腐蚀液。
反射式Ga0.23In0.77As光阴极的λth约为2.1微米。为使λth再向长波延长, 只有选择Eg比较小的三元或四元Ⅲ-Ⅴ族化合物，例如InPxAs1-x，GaxIn1-xSb，InPxSb1-x，GaxIn1-xAsyP1-y(以上),InPxAsySbz(x+y+z=1)。要实现这些Ⅲ-Ⅴ族化合物负电子亲和势光阴极,首先要解决多 层异质外延生长,其次要解决光阴极的冷却（因为λth越长，则热发射越大）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条