1)  γ/γ' interface
γ/γ'相界
1.
By using the discrete variational Xα (DV-Xα) method, the electronic and bonding structures of γ/γ' interfaces with and without Ir addition in Ni-base single crystal superalloys were calculated in the framework of the first-principles theory.
采用非相对论第一原理分子轨道DV-Xα模型簇方法,计算了Ni基单晶超合金γ/γ'相界的电子结构,并从键重替聚居数(QAB)、界面原子层间的部分键合强度,以及界面原子局域环境总键合强度几个方面,对Ir合金化前后γ/γ'界面的结构稳定性、脆化特性、相间断裂的难易程度等几个方面对γ/γ'相界的结构特性进行了分析。
2)  the ratio of percentage of γ' and γ
γ'、γ″相
1.
Acorrding to the type of the phase and the composition, the ratio of percentage of γ' and γ" phase in these GH4169 alloys which were treated under different condition was given.
用阳极选择性电解脱溶相分离方法及原子吸光法测定GH4169合金中δ、NbC、(γ′+γ″)相含量,并根据析出相的类型和组成,测定不同变形量GH4169合金中γ′、γ″相含量的比值为W_γ:W_γ≈1:3。
3)  γ+γ'phases
γ+γ'相
4)  (γ'+γ″) phase
（γ'+γ″）相
5)  γ/γ' interface
γ/γ'相界面
6)  γ-γ' coating
γ-γ'涂层
参考词条
补充资料：γ-Thiopropyl triethoxy silane
    KH-580硅烷偶联剂国外相应的牌号有Z-6062，化学名称为γ硫丙基三乙氧基硅烷(γ-Thiopropyl triethoxy silane)，结构式为HSCH2CH2CH2Si(OC2H5)3,分子量238.41。无色透明液体，有特殊气味，相对密度(25℃／4℃)0.9773-0.9780。溶于乙醇。
    适用于环氧树脂、聚氨酯等胶粘剂。贮存于阴凉、通风的库房内，防火、防潮。
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