1) half deoiling process
半脱脂加工
1.
alf deoiling of the uncrushed intact peanut kernels was expounded and an analy-sis was also made of the changes of moisttire,pressure,and time in the half deoiling process,whichinfluenced the quality of half deoiled kernels.
本文阐述了整粒花生不被破碎而进行半脱脂加工的方法。
2) half cream milk,half skimmed milk,semi-skimmed milk
半脱脂奶
3) debinding process
脱脂工艺
1.
Study on debinding process of injection molded tungsten heavy alloy feedstock;
注射成形高密度钨合金脱脂工艺的研究
2.
Based on the differential thermal analysis of the binder, a suitable thermal debinding process was set up.
以粘结剂的差热分析为指导,制定合适的热脱脂工艺路线,并分析烧结过程中的温度、时间对烧结密度、力学性能的影响。
3.
The debinding process is the most complex and difficult step.
脱脂是陶瓷注射成型中最复杂、最重要的环节 ,本文介绍了陶瓷注射成型最新脱脂工艺进展 ,详细介绍了催化脱脂和水基萃取脱脂的脱脂原理 ,并对各种脱脂工艺的优缺点进行了比较。
4) semi-water coal gas de-sulfur process
半脱工艺
1.
Application was introduced for de-sulfur of catalysis-tannin extract method in semi-water coal gas de-sulfur process from aspects of process flow,equipment layout and operating process indexes etc.
从工艺流程、设备配置和运行工艺指标等方面介绍了催化栲胶法脱硫在半脱工艺中的应用;简述了888型脱硫催化剂的催化机理、反应原理以及催化栲胶法脱硫工艺的优点,着重分析了催化栲胶法脱硫的影响因素以及脱硫、再生、硫回收三者之间的相互影响和制约关系。
5) dehulling process
脱皮加工
1.
The research results of technology of dehulling process of rapeseed are described in this paper.
对菜籽脱皮加工技术在工厂的实际应用进行了研究,并对菜籽脱皮加工的经济性进行了分析。
6) gum rosin process
松脂加工
1.
The research situation of waste water treatment of gum rosin processing at home and abroad was generally summarized.
概述了国内外对松脂加工废水治理的研究情况,系统分析了松脂加工废水的来源及特点,介绍松脂加工废水治理方面的成功方法和经验,通过分析生产过程的监控数据,为我国松香行业的污水处理提供了经验和依据。
补充资料：半导体晶片加工技术
半导体晶片加工技术
wafer processing of semiconductor crystal
半导体晶片加工技术wafer proeessi雌of semi-conductor Crystal半导体晶体经过切片、研磨、抛光等工艺过程，加工成可用于制造半导体器件的晶片的技术。半导体晶片的加工过程采用精细和精密的加工技术，主要有以下工序: ①切断。用金刚石外圆刀片切去半导体晶体头、尾，或把长晶体切成几段适合于以后加工的晶体段。加工设备为外圆切断机。 ②定向。利用X射线衍射法或晶体对平行光束反射形成的光图(光图定向法)，确定晶体断面的晶体学取向和参考面取向。 ③外圆滚磨。利用无心磨床，采用金刚石杯形砂轮对晶体进行精整加工，使晶体呈理想圆柱形，并加工出参考面。 ④切片。利用刀片或线锯，把晶体切割成一定厚度的晶片。半导体晶片的切割多采用内圆切割方式，即利用高速旋转的内孔镀有金刚石粉末的刀片与晶体接触切割晶体。为了得到平行度好、弯曲度和翘曲度小、表面无刀痕的晶片，内圆刀片的张力、刀刃的冷却、切割速度、刀刃内外侧锋利程度、切屑的排除等都是影响切割片质量的主要因素。 ⑤边缘倒角。为了在研磨、抛光等过程中避免锋利晶片边缘碎裂而损伤加工表面，对晶片边缘要进行倒角加工，使晶片边缘呈一定的曲面。在生长外延层时，为避免边缘凸起，也要求对晶片边缘进行一定角度加工。 ⑥热处理。对硅单晶片有特殊的作用，其目的是当晶片加热到650℃或850℃后，快速通过450℃以消除硅晶体的热施主，从而稳定电阻率。加工过程中可利用各种氨气或氮气保护的热处理炉。 ⑦研磨。利用单面或双面研磨机对晶片表面进行精整加工，以去除切割的刀痕和表面的损伤，改进晶片的几何尺寸—厚度和平行度，提高表面的平整度。晶片研磨一般在研磨机上完成，晶片在平整磨板上用磨料对晶片的一面或双面进行磨削。磨板的平整度将决定晶片表面的平整度。磨料的种类、粒度和均匀性，研磨剂的分散性和研磨压力等将决定研磨速度、晶片表面的粗糙度和机械损伤层的深度。 ⑧腐蚀。为了除去晶片表面的研磨损伤层，并减小晶片表面的抛光量，采用非选择性化学腐蚀剂对晶片表面进行腐蚀。常用的化学腐蚀剂有酸性腐蚀剂和碱性腐蚀剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条