补充资料：半导体晶片加工技术

半导体晶片加工技术
wafer processing of semiconductor crystal

　　半导体晶片加工技术wafer proeessi雌of semi-conductor Crystal半导体晶体经过切片、研磨、抛光等工艺过程，加工成可用于制造半导体器件的晶片的技术。半导体晶片的加工过程采用精细和精密的加工技术，主要有以下工序: ①切断。用金刚石外圆刀片切去半导体晶体头、尾，或把长晶体切成几段适合于以后加工的晶体段。加工设备为外圆切断机。 ②定向。利用X射线衍射法或晶体对平行光束反射形成的光图(光图定向法)，确定晶体断面的晶体学取向和参考面取向。 ③外圆滚磨。利用无心磨床，采用金刚石杯形砂轮对晶体进行精整加工，使晶体呈理想圆柱形，并加工出参考面。 ④切片。利用刀片或线锯，把晶体切割成一定厚度的晶片。半导体晶片的切割多采用内圆切割方式，即利用高速旋转的内孔镀有金刚石粉末的刀片与晶体接触切割晶体。为了得到平行度好、弯曲度和翘曲度小、表面无刀痕的晶片，内圆刀片的张力、刀刃的冷却、切割速度、刀刃内外侧锋利程度、切屑的排除等都是影响切割片质量的主要因素。 ⑤边缘倒角。为了在研磨、抛光等过程中避免锋利晶片边缘碎裂而损伤加工表面，对晶片边缘要进行倒角加工，使晶片边缘呈一定的曲面。在生长外延层时，为避免边缘凸起，也要求对晶片边缘进行一定角度加工。 ⑥热处理。对硅单晶片有特殊的作用，其目的是当晶片加热到650℃或850℃后，快速通过450℃以消除硅晶体的热施主，从而稳定电阻率。加工过程中可利用各种氨气或氮气保护的热处理炉。 ⑦研磨。利用单面或双面研磨机对晶片表面进行精整加工，以去除切割的刀痕和表面的损伤，改进晶片的几何尺寸—厚度和平行度，提高表面的平整度。晶片研磨一般在研磨机上完成，晶片在平整磨板上用磨料对晶片的一面或双面进行磨削。磨板的平整度将决定晶片表面的平整度。磨料的种类、粒度和均匀性，研磨剂的分散性和研磨压力等将决定研磨速度、晶片表面的粗糙度和机械损伤层的深度。 ⑧腐蚀。为了除去晶片表面的研磨损伤层，并减小晶片表面的抛光量，采用非选择性化学腐蚀剂对晶片表面进行腐蚀。常用的化学腐蚀剂有酸性腐蚀剂和碱性腐蚀剂。

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