1) X-ray double crystal diffraction
X射线双晶衍射
1.
Analysis of RTD structure is made with X-ray double crystal diffraction.
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析。
2.
High quality InGaAs/GaAs quantum well (QW ) structure grown by molecular beam epitaxy (MBE) is characterized by X-ray double crystal diffraction.
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。
3.
Analysis of DBR structure is made with X-ray double crystal diffraction.
利用X射线双晶衍射方法,测定了分布布拉格反射镜(DBR)的衍射回摆曲线,除了DBR主衍射峰("0"级衍射峰)外,还观察到"1"级和"2"级卫星峰。
2) DCXRD
X射线双晶衍射
1.
Elaborate Control of RTD s Nanometer Thin Layers & DCXRD Analysis;
RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量
3) double crystal X-ray diffraction
X射线双晶衍射
1.
Properties of GaN layers were investigated by double crystal X-ray diffraction,optical microscope and ECV measurements.
用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征。
2.
The effect of Si-doping on the characteristics of AlGalnP/GalnP multiple quantum wells was studied by using double crystal X-ray diffraction and photoluminescence.
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。
3.
Properties of some GaN and GaN:Mg films with different blue luminescence relative intensity were investigated by Rutherford backscattermg/channeling measurement, double crystal X-ray diffraction measurement, photoluminescence technique, respectively.
采用卢瑟福背散射/沟道技术, X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试。
4) XRD
X射线双晶衍射
1.
Thermal annealing of ZnO thin films is carried out in air from 710 to 860℃,and the effect of annealing on the structural and optical properties of ZnO films is characterized by DCXRD and PL spectra.
用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对 ZnO薄膜的结构、发光性能的影响。
2.
The properties of the samples(unannealed) are examined by double crystal X-ray diffraction(DCXRD),atomic force microscopy(AFM),and room temperature PL spectra.
用 X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征 ,报道了 Zn O单晶膜的 (10 2 )非对称衍射结果 。
5) Double crystal X-ray diffraction
双晶X射线衍射
1.
(2) Investigation on microstructures of Mn doped Si thin films and Fe doped Si thin films by double crystal X-ray diffraction(DCXRD)DCXRD is used to study the microstructures of Mn doped Si thin films and Fe doped Si thin films annealed at different temperatures.
(2)用双晶X射线衍射(DCXRD)研究Mn掺杂和Fe掺杂硅薄膜微结构双晶XRD被用来研究Mn掺杂和Fe掺杂Si薄膜微结构。
6) Double crystal X ray diffraction
双晶X衍射
补充资料：X射线双晶衍射
X射线双晶衍射
X--ray double一erystal diffrae-tiofl
进行的，所记录的衍射曲线叫作摇摆曲线。摇摆曲线的半高宽(FWHM)是和晶体的完整性密切相关的。晶体的完整性越高，半高宽就越小，反之则越大，这就是测量晶体完整性的依据。对于高完整性晶体硅(Si)，其(333)衍射的半高宽只有2’’左右(对于CuKa辐射)，对于砷化稼(GaAs)的(400)衍射有10，，左右，对于完整性较差的晶体，如蓝宝石可达40，，以上。而对于镶嵌晶体，如氟化钙还要大。 X射线双晶衍射的理论计算主要有运动学理论和动力学理论。运动学理论是经典理论，以布喇格的衍射理论为基础，其计算简单，物理图象清楚，仍普遍采用。它可以根据布喇格方程方便地计算出异质外延的晶格失配和组分，以及超晶格的结构参数。 动力学理论是以高木(S atio tagagi)方程为基础，在双光束近似的情况下，把X射线在晶体中的波场用布洛赫函数表示，从而导出一个向量偏微分方程。目前这个方程只有近似解，经计算模拟可以解出所需要的各种参数，它的计算比较繁琐，物理图象也不如运动学理论清楚。但是更易接近实验曲线，适用范围更宽。 (王玉田)X射线双晶衍射x--ray doubxe一erystal diffrae-tion利用单色化、平行化的X射线对晶体进行结构分析的一种高精度测量方法。 目前X射线源有两种:高压电子束激发的X射线源和同步辐射X射线源。二者均为多色光，其波长比紫外线还要短，且不带电，因而不可能利用一般的光学透镜或电磁透镜的聚焦方法改变光路，或以透镜滤光方法实现其单色化。 根据晶体对X射线衍射的布喇格方程 Zdh、，sins=刀凡式中流kl为晶体晶面(h寿l)的间距。夕为衍射角，刀为自然数，几为X射线波长。对于一个晶体，在一个特定的衍射角夕，将会出现一个特定波长几的X射线束。如果我们对此束X射线配置适当的狭缝，就会实现X射线的单色化和平行化。以此射线入射到待测晶体上，就构成了一个双晶衍射系统。根据不同的光源和需要，可以设计出各种各样的双晶衍射系统，还可以设计出三晶、四晶、五晶等系统。经过单色化的X射线并不是完全单色的，不仅X射线的特征辐射本身存在一个本征宽度，而且还会有刀儿的谐波存在(强度很弱)。 特点20世纪20年代X射线双晶衍射业已问世，但由于当时的晶体完整性较差，不可能获得高单色性、高平行度的X射线，也由于当时的科学技术水平限制，不可能进行高精度测量。50年代，高完整性的半导体单晶体出现以后，随着新型半导体器件发展的需要，X射线双晶衍射技术和理论有了新的发展，成为半导体材料和器件研究的重要测试方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条