1) compound semiconductors
化合物半导体InGaAsP
2) InGaAsP semiconductor laser
InGaAsp半导体激光器
3) Bulk Compound Semiconductor
体化合物半导体
4) compound semiconductor
化合物半导体
1.
The research status.of the compound semiconductor/SiO_2 nanocomposite thin films;
化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状
2.
The decade of the compound semiconductor;
化合物半导体的辉煌十年
3.
The paper reviewed how the fast growing information technology pushes forword the market of the compound semiconductors, especially the market of the microstructue materials.
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场 ,特别是对分子束外延材料市场的推动。
6) compound semi-conductor
化合物半导体<冶>
补充资料：化合物半导体中的缺陷
化合物半导体中的缺陷
defects in semiconductors compound
化合物半导体中的缺陷defeets in semieondue-tors compound晶格的周期性受到破坏的某些地方。广义地说杂质也是一种缺陷。在化合物半导体中，由于制备上的原因，本征原子缺陷浓度很高，可以和杂质浓度相比拟甚至更高。此外，化合物半导体中，施主杂质、A原子空位及B原子间隙都能向导带提供电子，而受主杂质、A原子间隙及B原子空位都能向价带提供空穴。本征原子缺陷对于材料的导电类型、电限率的影响与杂质对它们的影响同等重要。因此点缺陷理论是化合物半导体的主要内容之一。 本征原子缺陷的类型晶体中不是由外来原子造成而是固有的缺陷称为本征缺陷。大多数常用化合物半导体是AB型半导体，如GaAs、GaP，InP等。对AB型的化合物半导体，有以下几种本征缺陷:A格子空位VA;B格子空位VB;A元素填隙原子A。;B元素填隙原子B，;A、B原子因排错位置而形成的错位原子A。和 BA，即反结构缺陷。空位又称肖特基缺陷，同种空位和填隙原子对构成弗伦克耳缺陷，填晾原子又称为反肖特基缺陷。除了中性的缺陷外，化合物中的缺陷也可能带电。 化合物中各种原子点缺陷的浓度，取决于点缺陷形成始的大小。一般来说，元素的半径越大，形成烩也越大，因此缺陷浓度较低。化合物半导体在一定温度下的点缺陷浓度N与形成烩之间的关系为 N=exp(一△H/kT)式中△H为点缺陷形成烙，k为玻耳兹曼常数，T为温度。由于点缺陷浓度与形成烩为指数关系，所以微小的形成烩变化将会引起点缺陷浓度很大的变化。一些化合物半导体中肖特基缺陷的形成焙的估算值见表。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条