1) magnetoresistivity(MR)
磁致电阻率
2) magnetoresistivity
[mæɡ,ni:təurizis'tiviti]
磁致电阻率，磁阻效应
3) magnetoresistance
[mæɡ,ni:təuri'zistəns]
磁致电阻
1.
The relations between the microstructure of bismuth and the magnetoresistance as well as thermoelectric effects are elucidated on the basis of crystalline structure of metal bismuth.
从铋晶体的结构出发,阐述其结构与磁致电阻及热电效应之间的关系。
2.
A negative magnetoresistance was found in this heavily Ca-doped manganite heterojunction due to the majority spin carriers (MASCs) tr.
我们计算出异质结的结电阻和磁致电阻(MR),在不同大小的正负偏压,不同磁场下,都得到负的MR值。
3.
Spintronics has got much progress as a separate discipline since the magnetoresistance is discovered in the late 20th century.
本论文用磁控溅射的方法在Si衬底上制得的Co/Mn/Co多层膜结构,用PPMS(物性测试系统)测得其在300K下的磁致电阻达0。
4) magnetoresistance
[mæɡ,ni:təuri'zistəns]
磁致电阻，磁阻
5) giant magneto resistive(GMR)
巨磁致电阻
6) magnetoresistor
[mæɡ,ni:təuri'zistə]
磁致电阻器
补充资料：磁致电阻
磁致电阻
Magnetoresistance
磁致电阻(magnetoresistanee 磁致电阻是对载流的导体或半导体加上磁场H时所产生的电阻变化。磁致电阻是磁场电效应的一种。它在磁场H平行于和垂直于电流时都可观察到。电阻的变化通常与H“成正比，但是在非常大的磁场中，它变成与H成正比。参阅“磁场电效应”(galvanomagnetie effeets)条。 在大多数金属中，电阻的变化是正的;然而，在贵金属和过渡金属的合金以及在饱和以上的铁磁体中，电阻的变化一般是负的。 在半导体中，磁致电阻非常大(特别在锑化姻中)，并且相对于单晶体中电流的方向具有大的各向异性。后一性质对于确定带结构很有价值。对磁致电阻的测量还可提供有关载流子迁移率的知识。 仁亚伯拉罕斯(E.Abrahams)、凯弗(F·Keffer)撰]
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参考词条