1) Knudsen effusion method
努森隙透
1.
Static method, boiling method and Knudsen effusion method have been introduced in this paper.
综述了测定纯物质低蒸气压的方法，包括静态法、沸点法、流逸法和努森隙透法等测定蒸汽压的方法。
2) Knudsen effusion method
努森隙透法
3) knudsen effusion method
诺森隙透法
4) knudsen number
努森数
1.
According to the experimental results,Reynolds number greater than 1(Re> 1)are the inertial flow segment;Knudsen number is greater than 10(Kn>10) are strong slippage segment and between them are slippage segment.
为了区分气体不同的渗流状态,在火山岩气藏渗流状态实验的基础上,利用努森数和雷诺数对渗流状态进行了划分。
5) Knudsen number
克努森数
1.
When Knudsen number is greater than 10,adsorption gas will display desorption,diffusion,migration.
在储层发育的纳微尺度空间内,天然气分子在其中的赋存状态以吸附为主,一旦微孔介质中天然气浓度发生变化,克努森数大于10时,吸附天然气将解吸、扩散、运移。
6) Knudsen diffusion
努森扩散
1.
The impediment enhancement can be explained by Knudsen diffusion and laminar flow,namely under certain pressure difference,the impediment enhancement is decided by the pinhole dist.
研究了磁控溅射镀陶瓷薄膜(SiOx)使PET基体阻隔性提高的机理,并对SiOx层的堆积结构做了假设及理论分析,结合SEM形貌表明:磁控溅射SiOx层存在层状结构及针孔随机分布,阻隔性的提高可由努森扩散和层流两种机理加以解释,即在一定的压力差下,阻隔性提高决定于针孔的分布、陶瓷层厚度以及SiOx层数。
2.
At the same time, there are laminated structures,the random and distributional pinholes under the SEM appearance,which indicate the barrier enhancement may explained by Knudsen diffusion and Poiseuille flow,namely under certain pressure difference,the impediment enhancement decided by the pinhole distribution,ceramic level thickness as well as the quantities of SiO_x layers.
研究了PET基体表面等离子辅助磁控溅射陶瓷薄膜(SiOx)阻隔性提高的机理,SEM形貌表明:磁控溅射SiOx层存在层状结构及针孔随机分布,阻隔性的提高可由努森扩散和层流两种机理加以解释,在一定的压力差下,阻隔性提高决定于针孔的分布、陶瓷层厚度以及SiOx层数。
3.
At the same time, there are laminated structures,the random and distributional pinholes under the SEM appearance,which indicate the barrier enhancement may explained by Knudsen diffusion and Poiseuille flow,namely under certain pressure difference,the impediment enhancement decided by the pinhole distribution,ceramic level thickness as well as the quantities of SiO_X layers.
根据不同SiOx层的堆积结构做了假设及理论分析,研究了PET基体表面等离子辅助磁控溅射陶瓷薄膜(SiOx)阻隔性提高的机理,SEM形貌表明:磁控溅射SiOx层存在层状结构及针孔随机分布,阻隔性的提高可由努森扩散和层流两种机理加以解释,在一定的压力差下,阻隔性提高决定于针孔的分布、陶瓷层厚度以及SiOx层数。
补充资料：但犁努
但犁努，原名王九馀。四川达县人。1942年毕业于重庆国立实验剧院。1935年曾就读于达县师范学校，1938年又就读于成都南虹艺专绘画科，1942年创办《诗家》丛刊，任《今日戏剧》、《歌剧艺术》、《戏剧与文学》主编，《南京人报》记者，南虹艺专、西南美专教师，重庆中华剧专教务主任。1949年后历任中国剧协重庆分会主任秘书，重庆市文联、中国作家协会重庆分会、四川省作家协会专业作家，文学创作一级。重庆中国抗战文艺研究学会理事。1940年开始发表作品。1956年加入中国作家协会。
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