1) plasma heating
等离子体加热
1.
The present paper introduces the principle and function of plasma heating for tundish ofcontinuous casting machine, the structure of heating facilities mainly used worldwide, the technicalsupport from manufacturers, investment comparison and the status of application at home andabroad.
介绍了连铸中间包等离子体加热的原理和诈用，国内外主要采用的加热装置结内、生产厂的技术支持、投资比较以及国内应用现状。
2) hydrogen plasma heating
氢等离子体加热
1.
A study of poly-silicon fims prepared by hydrogen plasma heating;
氢等离子体加热法晶化a-Si∶H薄膜
2.
Polysilicon thin films have been obtained by hydrogen plasma heating of a-Si:H films deposited by PCVD.
采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)等方法进行表征和分析。
3) plasma heating device
等离子体加热器
4) plasma furnace
等离子体加热炉
5) PLASMA WAVE HEATING
等离子体波加热
6) plasma heating
等离子加热
1.
The tundish plasma heating technology of 1450 slab caster in Baosteel;
宝钢1450板坯连铸中间包钢液等离子加热
2.
The bottom blowing solution was put forward to solve the temperature accumulation in the plasma heating zone in a six-strand tundish.
针对宝钢六流连铸中间包等离子加热区域温度积聚严重的现象,提出了底吹气的解决方法。
3.
This paper dealt with a few of important tundish reheating technologies,discussed the technical feature of plasma heating technology and its effectiveness in application and analyzed the prospects of those technologies in Chin
本文阐述了连铸中间包加热的几种基本形式,讨论了中间包等离子加热的技术特征及使用效果,并对我国应用该技术的前景作了分析。
补充资料：等离子体加热
等离子体加热
plasma heating
dengl}z一t一J一ore等离子体加热(plasma heating)利用外加功率源来提高等离子体温度的方法和技术手段。琅变装t中的等离子体是由人工方法(极大多数情况下是将嫩料气体电离)产生的，起始温度仅几十万度(或几十电子伏特)，需不断从外部输人能t来继续提商其温度，直至达到能满足自持反应条件(此时氛佩反应产生的Q粒子将起加热功能，维持必要的温度).各种适宜于加热等离子体的方案必须满足两方面的要求:①它们不会破坏整体约束(如引起强的等离于体不鹅定性或引起大量杂质);②在相当宽的参数范围内加热效率高.并且工艺要求合理。已为实践证明有效的并可用于聚变堆加热的方法主要有:欧姆加热、高能中性束注人加热、波加热。在聚变堆自持燃烧条件下，则主要依靠聚变Q粒子的自加热。 加热和约束的关系在许多类型的聚变装t中，等离子体的形成和初始加热是与建立稳定的等离子体位形相协调的.如托卡马克和仿星器中的欧姆加热、反向场位形中的欧姆加热和湍流加热等。但当用更强功率的加热来进一步提高等离子体的温度时，却发现约束在一定程度上变坏，这是由于强功率加热不可避免地会激发某些不稳定性和增大杂质含t。结果，能t约束时间随加热功率的加大而下降。为满足自持聚变反应条件，就必须加大聚变堆几何尺寸和采用更大规模的强功率加热。典型的强功率加热要求已达100 MW量级。 欧姆加热通过等离子体中的电流会产生焦耳热，其功率密度与电流密度平方和等离子体电阻率成正比.欧姆加热实际上是外电场对电子做功，首先加热电子，随后因电子和离子的碰撞而加热离子。由于等离子体中电流密度的大小受稳定性条件的限制，而电阻率又随电子温度的升高而剧降，所以欧姆加热虽方便且经济.却只能将等离子体加热到3x10，K(或3keV)左右。 中性束注入加热用高能强流中性化束注人到已得到初步加热的等离子体中，高能中性粒子(其能量约为初始等离子体能t的几十倍)因不受磁场力的作用，可以穿透到等离子体内部，并与原已存在的“靶”等离子体碰扭电离而被磁场捕获成为高能离子成分，它们又在多次碰搜而慢化的同时加热等离子体。这种加热方法对等离子体扰动小，在许多装置上已能有效地将等离子体加热至聚变反应所需温度。对聚变反应堆来说，由于几何尺寸大于当前的实验装!，为使中性束能透人中心约束区，要求中性束的能量提高到MeV大小(目前为80~200 keV)，这时因正离子的中性化率太低使中性束加热设备的造价大幅度提高，已提出用负离子源技术来缓解这一困难。
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参考词条