1) grain boundary film
晶界膜
1.
Deterioration is caused mainly by the formation of grain boundary film.
１０％时，合金的室温塑性和持久寿命均有很大降低，降低的原因主要是形成晶界膜；合金中的碳降低时，还可以促进μ相形成，导致合金脆化。
2) thin film grain-boundary
薄膜晶界
3) intergranular films
晶界薄膜
1.
Variable charge molecular dynamics simulations of the intergranular films in SiC
SiC晶界薄膜的变电荷分子动力学模拟
4) grain boundary
晶界
1.
Dynamic process simulation of solute grain boundary segregation;
溶质原子晶界偏聚动力学过程的数值模拟
2.
Methodological probe into grain boundary etching of molybdenum disilicide based materials;
二硅化钼基材料的晶界腐蚀方法探讨
5) crystal boundary
晶界
1.
The chemical composition at the crystal boundary of transparent ceramics was observed and the concentration distribution of rare earth oxide in stable state was measured by electron microprobe analysis.
以ＥＰＭＡ法观测透明陶瓷晶界处的化学组成及稀土氧化物的定态浓度分布，用非平衡态热力学理论分析晶界偏析行为。
2.
Al_2O_3distributed along crystal boundary,silicate impurities,separated carbon compound and σ phase together brought about crystal boundary weakening and resulted in high sensitivity for interdendritic corrosion.
沿晶界分布的A l2O3和硅酸盐杂质、析出碳化物、σ相,它们共同构成了晶界弱化的因素,致使晶间腐蚀的敏感性加大。
3.
The application of electroscope and pulse polishing technology enables the field ion microscope atomprobe (FIM AP) on the sample to locate itself successfully the crystal boundary, moreover, makes the dialing subatomprobe in the range to be efficiently analyzed.
应用电子显微镜和脉冲抛光技术 ,成功控制了晶界在场离子显微镜—原子探针试样中的位置 ,使其处于场离子显微镜—原子探针的有效分析范围内。
6) grain-boundary
晶界
1.
Study on the grain-boundary strengthening model of polycrystalline materials;
多晶体材料的晶界强化模型研究
2.
Based on the existing grain-boundary segregation thermodynamics and kinetics, and according to thermodynamics second law, Fick's diffusion laws, and local equilibrium theory, a model is developed to calculate the solute grain- boundary segregation kinetics.
本文在现有晶界偏聚热力学和动力学模型的基础上,根据热力学定律、菲克扩散定律及局部平衡理论,建立起溶质原子晶界偏聚动力学模型。
3.
Some of recent progress were summarized, including the preparation of nanosized powder, highly strengthened ceramic with submicrometer grain structure obtained via spark-plasma sintering method, improved conductivity of grain-boundary via precursor scavenging of two-stage sintering, and a pseudoternary stabilized 5%In2O3-8%Y2O3-ZrO2(all percentages in formula are mole percentage) system.
稳定氧化锆作为固体氧化物燃料电池的电解质是最好的可用材料,介绍了这方面的研究进展,包括:纳米粉的制备,火花等离子体烧结法获得亚微米晶粒结构的高强度陶瓷,二次烧结前体清除法改善晶界的电导率和一个准三元系稳定的5% In2O3-8%Y2O3-ZrO2(式中均为摩尔百分数)。
补充资料：高温合金晶界强化
高温合金晶界强化
grain boundary strengthening of superalloy
gaowen heJ一n]Ingjleq旧nghuo高温合金晶界强化(grain boundarystrengthening of superalloy)添加微量元素改善晶界状态达到高温合金强化的目的。晶界的晶体结构不规则，原子排列混乱，晶格歪扭，又存在各种晶体缺陷(如位错、空洞等)，因此晶界在高温变形时是一个薄弱环节。在高温蠕变时，晶界形变量占总形变量的5。%，因此强化晶界就成为高温合金强化的一个重要部分。一些有害杂质元素的溶解度很小且往往偏析于晶界，生成低熔点共晶化合物。硫在y一Fe中的溶解度只有0.015%。因此合金中所含的硫在铁中易形成熔点为988C的Fe十FeS低熔点共晶。硫在镍中会形成熔点只有644C的Ni+Ni3S:共晶。这些低熔点共晶在晶界的形成会大大恶化合金的热加工性能和高温热强性。通常高温合金中的硫含量控制在0.015%以下，优质高温合金控制在0.005%~。 .007写以下。美国宇航材料标准AMS228。规定镍基高温合金必须满足杂质控制标准，要求秘、佗、啼、铅、硒5个元素含量分别在(0.5~5)浓10一6以下，同时对锑、砷、锡、稼、锗、金、锢、汞、钾、钠、社、银、锡、铀、锌等15个微量杂质元素的含量分别控制在50x10一6以下，其总和还不允许超过4。。\10一6。为了消除有害杂质和气体的不利作用，进一步净化和强化晶界，可以加入一些微量元素，诸如硼、错、铅、镁、钙、钡、斓和饰等。硼在晶界偏聚，形成M3B:硼化物(见高温合金材料的间隙相)进行强化。硼能抑制晶界片层状、胞状析出相以及改善碳化物密集不均匀分布的状态，因而对热强性有利。铁、镍基高温合金中硼含量总在。.05%以下，通常控制在0.01%~。.02%左右。铸造高温合金中硼含量略高，一般可达。.02%一0.03%左右。错和硼有类似作用，但其效果不如硼大。镁是晶界偏聚元素，使晶界碳化物呈颗粒状分布，因而阻止沿晶裂纹的快速扩展，有利于热强性。镁使高温合金的蠕变第二阶段延长，第三阶段扩展，因而获得高的塑性和长的断裂寿命。由于镁使持久断裂塑性提高，可以大大改善持久缺口敏感性。镁还有去除杂质元素的洁净作用。镁、钙、钡、斓和柿等元素由于化学性活泼，与氧有很大的亲和力，可以在冶炼过程中起良好的脱氧去气作用，又能和一些低熔点杂质生成密度较小的难熔化合物，消除有害杂质在晶界的不利作用。这些微量元素的加人量都有一个最佳量，过量加入反而会使热强性下降。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条