1) ion molecule reaction
气相分子离子反应
2) Gas-phase ion-molecular reaction
气相离子分子反应
3) gaseous ionic reaction
气相离子反应
4) arc plasma vapor phase reaction
等离子气相反应
5) ion layer gas reaction
浸渍离子层气相反应
1.
Thin films of CuInS_2 were prepared on glass substrates by ion layer gas reaction method using CH_3CN as solvent, CuCl_2 and InCl_3 as reactants and H_2S as sulfur source.
以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl3为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜。
6) ILGAR
离子层气相反应法
1.
Studies on Chalcogenide Semiconductor Thin Films Prepared by Ion Layer Gas Reaction Method (ILGAR);
离子层气相反应法（ILGAR）制备硫属半导体薄膜的研究
补充资料：离子－分子反应
离子与中性分子的反应，可用下式表示：
A++B─→C++D
气相离子－分子反应的速率常数k常可以用质谱仪（见质谱法）直接测定，如：
H2O+＋H2O─→H3O+＋·OHH3O+的显现电位为12.67伏,其离子流强度与水蒸气压的平方成正比, 故此反应为二级反应, 测得k＝9×1O11升/(摩·秒)。根据此k值，可估计在液态水径迹和刺迹中，上式反应约在1O-14秒完成。
离子分子反应的类型有抽氢反应、电荷转移、质子转移或H-离子转移，以及碳－碳键的形成和断裂等，例如：
参考书目
A.J.Swallow, Radiation Chemistry, an Introduc-tion,Longman, London, 1973.
A++B─→C++D
气相离子－分子反应的速率常数k常可以用质谱仪（见质谱法）直接测定，如：
H2O+＋H2O─→H3O+＋·OHH3O+的显现电位为12.67伏,其离子流强度与水蒸气压的平方成正比, 故此反应为二级反应, 测得k＝9×1O11升/(摩·秒)。根据此k值，可估计在液态水径迹和刺迹中，上式反应约在1O-14秒完成。
离子分子反应的类型有抽氢反应、电荷转移、质子转移或H-离子转移，以及碳－碳键的形成和断裂等，例如：
参考书目
A.J.Swallow, Radiation Chemistry, an Introduc-tion,Longman, London, 1973.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条