1) Electroless copper deposition
铜无电沉积
2) electrodeposited copper
电沉积铜
1.
Time effect on resistivity and rigidity of electrodeposited copper;
电沉积铜的电阻率和硬度的时间效应
3) electrodepositing of copper
铜电沉积
1.
The As(Ⅲ) ion promotes the electrodepositing of copper.
采用循环伏安及交流阻抗研究As(Ⅲ,Ⅴ),Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)对铜电沉积及阳极氧化机理的影响。
4) Electroless deposition
无电沉积
1.
The electroless deposition of copper on the monolayer film of diazoresin (DR), which was fabricated on the silicon or glass surface, was performed via absorbing SnCl 2 and Pd on the DR film.
组装于硅片或玻璃片基片上的重氮树脂(DR)单层膜,吸附Sncl2,Pd催化剂后,通过无电沉积的方法,在这些基片上制备了铜膜。
5) Copper electrodeposition
铜的电沉积
6) electrodepositing from noncyanide bath
无氰电沉积
补充资料：电沉积层织构
分子式：
CAS号：
性质：电沉积层与基体的结晶取向关系。即在沉积层中相当数量的晶粒表现出来的某种共同取向特征，又称择优取向。在多晶沉积层中，每颗晶粒的空间方位可用它的晶轴与相对于宏观基体的参考坐标系坐标轴的夹角来表示。如果沉积层中各晶粒的三根晶轴相对于参考坐标系呈随机分布，这便是无序取向。如果各晶粒的三根晶轴中有一根与参考坐标系有固定的关系，则成为一维取向，即通常所指的织构。这根晶轴即称为择优取向轴。有时择优取向轴的数目不止一根，这就意味着沉积层中有些晶粒是按某种关系相对于基体取向的，而另一些晶粒是按另一种关系相对于基体取向的。改变镀液组成、电流密度、pH等都可能引起织构的变化。
CAS号：
性质：电沉积层与基体的结晶取向关系。即在沉积层中相当数量的晶粒表现出来的某种共同取向特征，又称择优取向。在多晶沉积层中，每颗晶粒的空间方位可用它的晶轴与相对于宏观基体的参考坐标系坐标轴的夹角来表示。如果沉积层中各晶粒的三根晶轴相对于参考坐标系呈随机分布，这便是无序取向。如果各晶粒的三根晶轴中有一根与参考坐标系有固定的关系，则成为一维取向，即通常所指的织构。这根晶轴即称为择优取向轴。有时择优取向轴的数目不止一根，这就意味着沉积层中有些晶粒是按某种关系相对于基体取向的，而另一些晶粒是按另一种关系相对于基体取向的。改变镀液组成、电流密度、pH等都可能引起织构的变化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条