1) hop-type metal
hcp型金属
1.
The situation of this F-S potential for description the liquid structures of those hop-type metals was analyzed.
本文应用Finnis－Sinclair形式多体势对8种hcp型金属的液态结构进行了分子动力学模拟，分析了该F—S多体势对这几种hcp型金属液态结构的描述情况；并对金属Co进行了两个快速凝固分子动力学模拟，利用对分析技术说明了冷却速率对Co微观结构的影响。
2) permanent mould
金属型
1.
Design of Permanent Mould for Aluminum Alloy Drill Housing of Guide-rail and Its Simulation;
导轨钻机铝合金壳体金属型设计与铸造模拟
2.
Design of Permanent Mould for Piston in MAZDA620;
MAZDA620活塞金属型设计
3.
As-cast Ferrite Ductile Iron Auto-Hub in Permanent Mould;
金属型生产铸态铁素体球铁汽车轮毂的研究
3) metal mould
金属型
1.
The non-equilibrium crystallizing processes of the metal mould nodular iron ball were investigated through analyzing the properties and microstructures of the nodular iron grinding ball.
通过分析不同成分球铁磨球零件性能和金相组织,对金属型磨球的非平衡凝固特性进行了较深入的研究。
2.
The casting process of water-cooled metal mould ductile iron crankshaft castings for compressor is presented,and the control range of process parameters is also discussed.
介绍空调压缩机球墨铸铁曲轴水冷金属型铸造工艺,提出了水冷金属型铸造工艺参数的控制范围,认为金属型生产过程中严格控制铁液质量和浇注工艺参数是减少铸造缺陷的有效措施。
3.
Taking the example of typical parts, the paper talks about the design plan of casting an aluminum alloy casting by metal mould casting, and also shows the bright prospect of application of metal mould casting in casting productio
本文以典型零件为例 ,探讨了用金属型铸造铝合金铸件的设计方案 ,说明了金属型铸造在铸件生产中广泛的应用前
4) Permanent Mold
金属型
1.
Technological Aspects in Design of Permanent Mold for Aluminum Piston in Casting Machine;
铝活塞金属型设计的工艺问题
2.
Research on Insulating Sleeve for Aluminium Alloy Piston by Permanent Mold;
金属型浇注铝活塞用保温冒口套的研制
3.
Analysis on inner defects in TiAl based alloy exhaust valve during the centrifugal foundry process in permanent mold;
TiAl基合金排气阀金属型离心铸造过程内部缺陷分析
5) copper metal mold
铜金属型
1.
This paper introduces the design methods of copper metal mold for producing iron castings based on UG(Unigraphics).
介绍了利用Unigraphics(简称UG)软件设计铜金属型模具的方法,并对铸件的充型凝固过程进行数值模拟及理论分析,进一步完善模具设计参数,从而确定模具设计方案。
6) metal mold
金属型
1.
Evolvement of microstructure of microcastings by microcasting based on metal mold;
金属型微铸造工艺成形微铸件的组织演变
2.
The effect of different casting methods of sand mold and metal mold on the mechanical properties and fracture surfaces of ZL210A casting aluminum alloy of casting,solid-solution and aging was investigated.
采用砂型和金属型两种不同铸造方法对铸态、固溶态和时效态ZL210A合金性能及断口形貌的影响进行研究。
3.
The metal mold casting processes including assembly metallic die design and manufacture were studied by an example of concrete vibrator's wiring bale.
复杂筒形铝合金铸件,其外形一般带有连接爪、凸台等结构,不利于铸件从金属型中脱模。
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条