1)  silver alloys+copper alloys+zinc alloys+cadmium alloys+intermetallic compounds
银合金+铜合金+锌合金+镉合金+金属互化物
2)  silver alloys
银合金
1.
A new method for determination of cadmium in silver alloys using potassium iodine as a selective reagent and Zn(NO3)2 complexometric titration EDTA released from Cd-EDTA complex was established.
建立了碘化钾析出EDTA络合返滴定以测定银合金中镉的新方法;系统地研究了选择性测定银合金中镉含量的条件。
2.
The reasons why the silver alloys tarnished are analyzed briefly.
简要分析了银合金变色的原因。
3.
Several binary silver alloys,including AgSb,AgTb,AgDy,AgGa,AgTi and AgAl,have been investigated in order to develop new sheath alloys used for the BSCCO tapes.
为开发新型Bi系高温超导用包套银合金,使其具有良好的机械性能,制备了6种二元银合金,分别为AgAl,AgGa,AgTb,AgDy,AgTi和AgSb。
3)  925Ag alloys
925银合金
1.
5 h,the hardness of 925Ag alloys with suitable Zn content or suitable Zn and Sn contents is much higher than that of 925Ag75Cu alloy,and that there appears.
采用氩气保护水冷铜坩埚非自耗电极电弧熔炼制备了5种Ag-Cu-Zn(-Sn)系925银合金,并系统研究了热处理工艺对其力学性能和显微组织的影响。
4)  Ag-Au alloy
金银合金
5)  Cu-Ag alloy
铜银合金
6)  silver alloy
银合金
1.
It is believed that Silicon can improve casting property and oxidization resistance of silver alloy but it is prone to form coarse grain structure and eutectic of low melting point.
银合金中添加硅可以改善铸造性能和抗氧化变色性能,但是硅有粗化晶粒及形成低熔点共晶体的倾向,当硅超过一定量后,会带来晶粒组织粗大、产生硬点导致抛光面质量差、产生热裂、延展性恶化等问题,因此,要注意硅的加入量应控制在0。
2.
This paper sums up some key issues on ornamental silver study,reviews the main development of research on strengthening,its resistance to natural ageing and softening,and anti-tarnishing of silver alloy.
总结了饰品用银合金研究中的关键问题,阐述了银合金强化、抗自然时效软化和抗变色能力的主要进展。
3.
It is well known that silver alloy is prone to tarnish.
银合金的特点是容易发生硫化变色,通过抗变色试验可以确定合金的抗变色性能。
参考词条
补充资料：合金结工艺
    　　在高温下使掺杂金属（又称为合金材料）和半导体晶片熔成合金来制作PN结(或形成集成电路欧姆接触)的工艺。用合金工艺制作锗PN结的典型工艺过程，是将掺杂金属（如In）置于表面经过严格清洁处理的半导体晶片上（如N型Ge），在氢气或真空中加热至一定温度,并维持一定时间。此时，熔化的金属和半导体晶片相接触的那一部分材料溶入熔化了的金属中，与金属形成合金，温度下降后在金属中的半导体材料便再结晶。再结晶的半导体材料中含有丰富的掺杂金属原子，从而改变了半导体的导电类型（P型），并与原来的N型晶片形成PN结（图1）。合金法形成的PN结是突变型的。在合金工艺中精确地控制合金深度和得到平坦的PN结比较困难。因此，用合金法制成的晶体三极管往往用于低频范围。合金工艺的另一个内容是制造半导体器件和集成电路的欧姆接触。其中又可分为两个方面。①制造分立器件：在固定半导体晶片的同时要求固定处也是欧姆接触性质（图1中的Au-Sb）。②集成电路的金属互连工艺：用一种金属膜将晶片上的各个元件按照电路的要求互连(图2)。选择金属膜的要求是:能与半导体形成良好的欧姆接触;应是优良的导体；具有适于焊接引线的金属性质。一般多采用金属铝。铝与 P型半导体材料的接触部分是欧姆接触，而与N型半导体材料接触处只有当N型杂质的掺杂浓度达到5×108原子/厘米3以上时才形成欧姆接触接点。
　　
　　

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