1) microcrack technology
微爆处理
2) explosive treatment
爆炸处理
1.
The whole process of the relief of the welding residual stress through an explosive treatment is simulated by using the nonlinear dynamic finite element method.
利用非线性动力有限元法对爆炸处理消除焊接接头残余应力的全过程进行了数值模拟。
3) explosion treatment
爆炸处理
1.
The successful application of explosion treatment on relieving welding residual stress in S belt of hot-blast stove in WIS(G)CO is introduced.
介绍了消除焊接残余应力爆炸处理技术在武钢高炉热风炉上的成功应用。
2.
Not only significant reduc- tion of the surface welding tensile residual stresses but also even distribution of stresses through the thickness are achieved due to the explosion treatment.
对三峡工程采用的６０ｍｍ厚 ＮＫ－ＨＩＴＥＮ ６１０Ｕ２调质高强钢对接和角接的焊接试板进行爆炸处理。
3.
The results indicated that after the explosion treatment, the fatigue property of the plastic, clastic and elasto-plastic zones on the 16MnR steel weld, attected by the explosion shock wave, arc all improved but t.
结果表明,16MnR钢焊缝经爆炸处理后,冲击波的塑性作用区、弹性作用区以及弹(?)塑性转变区的疲劳性能均得到改善,但三区有不同的疲劳特性。
4) explosion treatment
闪爆处理
1.
Effect of steam explosion treatment on the structure and properties of hemp fibers;
闪爆处理对大麻纤维结构与性能的影响
2.
The results showed that the per-centage of cellulose content of treated hemp fiber increased significantly while that of other non-cellulose reduced,especially lignin,which implied it was of nice degumming effect for hemp fiber by using the explosion treatment.
采用“闪爆”新技术来处理大麻纤维,分析了闪爆处理前后大麻纤维脱胶、化学组分和理化性能的变化。
6) explosive treatment
爆轰处理
1.
Investigation was made of effect of preplastic deformation for unexplosive and explosive treatments on strength, surface residual stress and hydrogen embrittlement of the specimens.
研究了预塑变对爆轰处理和未爆轰处理样品的强度、表面残留应力、氢脆敏感性及其关系的影响。
2.
A study was carried out to determine the effect of explosive treatment onhydrogen embrittlement susceptibility for 20CrMo steel with different microstructure andstrength level.
本文研究了爆轰处理对不同组织和强度水平的20CrMo 钢氢脆敏感性的影响。
补充资料：单片式微处理器
利用大规模和超大规模集成电路技术，在一个微小的硅片上制作的中央处理器。芯片包括中央处理器的主要部分，如控制逻辑电路，指令译码、运算和处理电路等。单片式微处理器用 MOS电路工艺制成。第一个单片式微处理器是美国的intel 4004型4位微处理器,于1971年投产。后又试制出 8位的intel 8008微处理器。而第一个指令系统比较完整、功能较强的 8位单片式微处理器，则是1973年生产的8080。到80年代初已有16位、32位高性能单片式微处理器，性能已接近或超过一些小型计算机。
单片式微处理器8080由寄存器组、算术逻辑部件、时序逻辑电路和指令操作控制部件等组成。外部采用三总线（数据总线、地址总线、控制总线）结构，与存储器、输入输出等接口电路相联接（见图）。由地址总线决定从存储器（或接口电路）的某单元取的指令码（或数据），通过数据总线送到指令操作控制部件（数据送到寄存器组或累加器）。经过译码后，在时序逻辑电路配合下产生一系列控制信号，协调算术逻辑部件、寄存器组和外部电路工作。算术逻辑部件完成加、减和逻辑运算；寄存选择器组存放运算的原始数据和中间结果。
8位和16位单片式微处理器采用 NMOS工艺和HMOS工艺（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路、高性能金属-氧化物-半导体集成电路），速度快,使用单电源5伏，可与晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)兼容。肖特基TTL电路用于位片式微处理器。CMOS电路工艺因其特有的优点如功耗少、抗干扰性能好、环境适应范围大等而受到重视。
在NMOS电路工艺中，反相器采用增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路，有利于提高电路速度和减小芯片面积。触发器采用双相时钟(有的是内部产生)准静态电路；寄存器组采用存储器结构；指令操作控制早期采用随机逻辑电路，以节省芯片面积和提高操作速度，后为可编程序的逻辑阵列或微程序只读存储器。这有利于芯片版图的规整,易于修改设计和调试。因MOS电路驱动能力弱，在输出级采用大面积的推挽式驱动器，以驱动外界一个标准TTL逻辑电路负载。
微处理器发展迅速，新产品不断出现。一方面向高性能发展，如采用流水线技术，面向操作系统和高级语言的指令系统，实现软件透明的多重处理，支持浮点运算和提高虚拟地址空间等。用超大规模集成技术在一个芯片上制作几十万个元件（包括MOS晶体管）,实现过去用软件完成的工作。工艺上采用小于2微米的沟道,可使门延迟小于200皮秒,芯片主频率提高到12兆赫以上。另一方面，单片式微处理器向低造价、大批量的微控制器发展，即在一个芯片上包括中央处理器（4位、8位、16位）、数据存储器、输入输出接口电路、数-模和模-数转换器、时钟电路、定时器和固化的程序存储器等。
单片式微处理器8080由寄存器组、算术逻辑部件、时序逻辑电路和指令操作控制部件等组成。外部采用三总线（数据总线、地址总线、控制总线）结构，与存储器、输入输出等接口电路相联接（见图）。由地址总线决定从存储器（或接口电路）的某单元取的指令码（或数据），通过数据总线送到指令操作控制部件（数据送到寄存器组或累加器）。经过译码后，在时序逻辑电路配合下产生一系列控制信号，协调算术逻辑部件、寄存器组和外部电路工作。算术逻辑部件完成加、减和逻辑运算；寄存选择器组存放运算的原始数据和中间结果。
8位和16位单片式微处理器采用 NMOS工艺和HMOS工艺（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路、高性能金属-氧化物-半导体集成电路），速度快,使用单电源5伏，可与晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)兼容。肖特基TTL电路用于位片式微处理器。CMOS电路工艺因其特有的优点如功耗少、抗干扰性能好、环境适应范围大等而受到重视。
在NMOS电路工艺中，反相器采用增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路，有利于提高电路速度和减小芯片面积。触发器采用双相时钟(有的是内部产生)准静态电路；寄存器组采用存储器结构；指令操作控制早期采用随机逻辑电路，以节省芯片面积和提高操作速度，后为可编程序的逻辑阵列或微程序只读存储器。这有利于芯片版图的规整,易于修改设计和调试。因MOS电路驱动能力弱，在输出级采用大面积的推挽式驱动器，以驱动外界一个标准TTL逻辑电路负载。
微处理器发展迅速，新产品不断出现。一方面向高性能发展，如采用流水线技术，面向操作系统和高级语言的指令系统，实现软件透明的多重处理，支持浮点运算和提高虚拟地址空间等。用超大规模集成技术在一个芯片上制作几十万个元件（包括MOS晶体管）,实现过去用软件完成的工作。工艺上采用小于2微米的沟道,可使门延迟小于200皮秒,芯片主频率提高到12兆赫以上。另一方面，单片式微处理器向低造价、大批量的微控制器发展，即在一个芯片上包括中央处理器（4位、8位、16位）、数据存储器、输入输出接口电路、数-模和模-数转换器、时钟电路、定时器和固化的程序存储器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条