1) titanium microalloying
微钛处理
1.
015% titanium microalloying on the microstructure and properties of rephosphorized steel sheet were investigated by analyzing its microstructure and properties as hot-rolled and as annealed as well as its recrystallization dynamic behavior during annealing under different coiling temperatures(600,650 and 700 ℃ separately).
研究结果表明,热轧卷取温度对低碳含磷钢的显微组织和力学性能影响很小,但微钛处理后,低碳含磷钢的再结晶动力学受到延迟,特别当卷取温度为600℃时,不但热轧态和冷轧退火态的强度提高,而且力学性能对卷取温度和退火温度的敏感性增加;随着卷取温度的降低,热轧态和冷轧退火态的强度提高,且冷轧退火态强度随着退火温度升高而降低的幅度增加。
2) Ti-treated steel
钛处理钢
1.
The morphology,chemical composition and size distribution of inclusions in a Ti-treated steel after solidification were investigated by using of SEM-EDS analysis.
利用扫描电镜和能谱分析研究了钛处理钢凝固结束后钢中夹杂物的形貌、组成和尺寸分布,并考查了加钛前后钢中夹杂物行为变化。
4) picoprocessor
微微处理机
5) microwave
[英]['maɪkrəweɪv] [美]['maɪkrə'wev]
微波处理
1.
Through shake flask fermentation, the effects of microwave radiation, the exogenous gentamicin concentration, concentration of NaCl and some other factors on the secretion of gentamicin were studied.
研究了外加抗生素、胞外庆大霉素浓度、微波处理、培养基中氯化钠浓度等因素对于细菌庆大霉素分泌的影响。
6) microwave processing
微波处理
1.
The effect of microwave processing on the properties of Ni(OH)_2;
微波处理对Ni(OH)_2性能的影响
2.
The applications of microwave processing in material science and enginee-ring,together with its principles and advantages are introduced.
本文介绍了微波处理技术在材料科学与工程中的应用及原理 ,以及微波处理技术的特点和优势 ,并指出了应用中的技术难点 。
3.
The latest development on microwave processing of non-oxide ceramics was introduced.
介绍了微波处理非氧化物陶瓷的近期进展。
补充资料:单片式微处理器
利用大规模和超大规模集成电路技术,在一个微小的硅片上制作的中央处理器。芯片包括中央处理器的主要部分,如控制逻辑电路,指令译码、运算和处理电路等。单片式微处理器用 MOS电路工艺制成。第一个单片式微处理器是美国的intel 4004型4位微处理器,于1971年投产。后又试制出 8位的intel 8008微处理器。而第一个指令系统比较完整、功能较强的 8位单片式微处理器,则是1973年生产的8080。到80年代初已有16位、32位高性能单片式微处理器,性能已接近或超过一些小型计算机。
单片式微处理器8080由寄存器组、算术逻辑部件、时序逻辑电路和指令操作控制部件等组成。外部采用三总线(数据总线、地址总线、控制总线)结构,与存储器、输入输出等接口电路相联接(见图)。由地址总线决定从存储器(或接口电路)的某单元取的指令码(或数据),通过数据总线送到指令操作控制部件(数据送到寄存器组或累加器)。经过译码后,在时序逻辑电路配合下产生一系列控制信号,协调算术逻辑部件、寄存器组和外部电路工作。算术逻辑部件完成加、减和逻辑运算;寄存选择器组存放运算的原始数据和中间结果。
8位和16位单片式微处理器采用 NMOS工艺和HMOS工艺(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路、高性能金属-氧化物-半导体集成电路),速度快,使用单电源5伏,可与晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)兼容。肖特基TTL电路用于位片式微处理器。CMOS电路工艺因其特有的优点如功耗少、抗干扰性能好、环境适应范围大等而受到重视。
在NMOS电路工艺中,反相器采用增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路,有利于提高电路速度和减小芯片面积。触发器采用双相时钟(有的是内部产生)准静态电路;寄存器组采用存储器结构;指令操作控制早期采用随机逻辑电路,以节省芯片面积和提高操作速度,后为可编程序的逻辑阵列或微程序只读存储器。这有利于芯片版图的规整,易于修改设计和调试。因MOS电路驱动能力弱,在输出级采用大面积的推挽式驱动器,以驱动外界一个标准TTL逻辑电路负载。
微处理器发展迅速,新产品不断出现。一方面向高性能发展,如采用流水线技术,面向操作系统和高级语言的指令系统,实现软件透明的多重处理,支持浮点运算和提高虚拟地址空间等。用超大规模集成技术在一个芯片上制作几十万个元件(包括MOS晶体管),实现过去用软件完成的工作。工艺上采用小于2微米的沟道,可使门延迟小于200皮秒,芯片主频率提高到12兆赫以上。另一方面,单片式微处理器向低造价、大批量的微控制器发展,即在一个芯片上包括中央处理器(4位、8位、16位)、数据存储器、输入输出接口电路、数-模和模-数转换器、时钟电路、定时器和固化的程序存储器等。
单片式微处理器8080由寄存器组、算术逻辑部件、时序逻辑电路和指令操作控制部件等组成。外部采用三总线(数据总线、地址总线、控制总线)结构,与存储器、输入输出等接口电路相联接(见图)。由地址总线决定从存储器(或接口电路)的某单元取的指令码(或数据),通过数据总线送到指令操作控制部件(数据送到寄存器组或累加器)。经过译码后,在时序逻辑电路配合下产生一系列控制信号,协调算术逻辑部件、寄存器组和外部电路工作。算术逻辑部件完成加、减和逻辑运算;寄存选择器组存放运算的原始数据和中间结果。
8位和16位单片式微处理器采用 NMOS工艺和HMOS工艺(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路、高性能金属-氧化物-半导体集成电路),速度快,使用单电源5伏,可与晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)兼容。肖特基TTL电路用于位片式微处理器。CMOS电路工艺因其特有的优点如功耗少、抗干扰性能好、环境适应范围大等而受到重视。
在NMOS电路工艺中,反相器采用增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路,有利于提高电路速度和减小芯片面积。触发器采用双相时钟(有的是内部产生)准静态电路;寄存器组采用存储器结构;指令操作控制早期采用随机逻辑电路,以节省芯片面积和提高操作速度,后为可编程序的逻辑阵列或微程序只读存储器。这有利于芯片版图的规整,易于修改设计和调试。因MOS电路驱动能力弱,在输出级采用大面积的推挽式驱动器,以驱动外界一个标准TTL逻辑电路负载。
微处理器发展迅速,新产品不断出现。一方面向高性能发展,如采用流水线技术,面向操作系统和高级语言的指令系统,实现软件透明的多重处理,支持浮点运算和提高虚拟地址空间等。用超大规模集成技术在一个芯片上制作几十万个元件(包括MOS晶体管),实现过去用软件完成的工作。工艺上采用小于2微米的沟道,可使门延迟小于200皮秒,芯片主频率提高到12兆赫以上。另一方面,单片式微处理器向低造价、大批量的微控制器发展,即在一个芯片上包括中央处理器(4位、8位、16位)、数据存储器、输入输出接口电路、数-模和模-数转换器、时钟电路、定时器和固化的程序存储器等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条