1) copper bicrystal
铜双晶体
1.
Cyclic deformation behaviors of a copper bicrystal with an embedded grain and its matrix single crystal were compared.
比较了含镶嵌晶粒铜双晶体及其基体单晶体的循环变形行为，结果表明，双晶体的循环应力总是高于基体单晶体，结合表面滑移形貌和饱和位错组态，分别讨论了镶嵌晶粒和环绕晶界对双晶体循环变形行为的影响。
2.
Cyclic tension-tension deformation was carried out on a copper bicrystal which consists of a single and a double slip oriented component crystal.
本文对具有单、双滑移取向组元晶体的近垂直晶界钢双晶体进行拉-拉循环变形、得出铜双晶体中晶界及组元晶体的S-N曲线，比较了铜双晶体晶界及组元晶体疲劳寿命的差别，发现在相同的应力幅下晶界的疲劳寿命明显低于组元晶体的疲劳寿命，但两不同取向的组元晶体的疲劳寿命相差不大,通过对表面疲劳裂纹萌生的观察，发现垂直晶界铜双晶体在相同的循环载荷下萌生致命疲劳裂纹并导致疲劳断裂的难易顺序为：双滑移取向晶体→单滑移取向晶体→晶
3.
The cyclic saturation dislocation patterns within grains and near grain boundary (GB) were investigated in a copper bicrystal with a perpendicular by SEM ECC technique.
通过对垂直晶界［５９１３］⊥［５７９］铜双晶体进行循环变形，借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态，结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同，两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同，驻留滑移带只能在组元晶体Ｇ１中形成，驻留滑移带能够到达晶界但不能穿过晶界。
2) bi-crystal Cu
双晶铜
1.
Molecular dynamic simulations were used to investigate the effect of strain rate and size on the mechanical properties of nano-bi-crystal Cu under uni-axial tension.
利用分子动力学方法研究了双晶铜在单向拉伸载荷作用下弹性性能的应变率效应和尺寸效应。
3) Cu/Fe co-doped lithium niobate crystal
铜铁双掺铌酸锂晶体
4) copper single crystal
铜单晶体
1.
The cyclic hardening behaviors of copper single crystals with various orientations were investigated systematically.
研究了不同取向铜单晶体的循环硬化行为结果表明，晶体取向对双滑移和多滑移取向铜单晶 体的循环硬化行为有强烈的影响不同取向钢单晶体的初始循环硬化率 ００。
2.
The characteristics and the corresponding dislocation structures of the deformation bands (DBs), formed in cyclically deformed copper single crystals, were summarized systematically.
:系统研究了循环变形铜单晶体中的宏观形变带的产生规律和特征以及相应的位错结构 ,并对其形成机制进行了综合探讨。
3.
The changes of hysteresis loop shape parameter VH with cyclic number N in cyclicallydeformed copper single crystals with different types of double slip orientations have been determined andsummarized systematically.
本文系统测量并总结了不同类型双滑移取向铜单晶体在循环变形中滞后回线形状参数VH随循环周次N的变化关系。
6) copper crystal
铜晶体<冶>
补充资料：二碲化铟铜晶体
分子式：CuInTe2
CAS号：
性质：周期表第I，II，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，品格常数0.606nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.95eV，电子和空穴迁移率分别为2×10-2和2×10-3m2/(V·s)。熔点780℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。
CAS号：
性质：周期表第I，II，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，品格常数0.606nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.95eV，电子和空穴迁移率分别为2×10-2和2×10-3m2/(V·s)。熔点780℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条