1) nanocrystalline copper
纳米晶体铜
2) nanocrystalline copper film
纳米晶体铜薄膜
1.
Experimental studies of spallation in nanocrystalline copper film by laser irradiation;
强激光辐照下纳米晶体铜薄膜层裂破坏的实验研究
3) nanocrystalline copper
纳米晶铜
1.
Electrochemical corrosion behavior of nanocrystalline copper bulk;
纳米晶铜块体材料电化学腐蚀行为研究
2.
Effect of sulfate ions on anodic polarization behavior of nanocrystalline copper bulk
SO_4~(2-)对块体纳米晶铜阳极极化行为的影响
3.
Effects of thiourea on microstructure and properties of nanocrystalline copper prepared by jet electroforming
硫脲对喷射电铸纳米晶铜组织与性能的影响
4) nano-structured copper
纳米晶铜
1.
Internal friction (IF) frequency spectra of polycrystalline copper, nano-structured copper and single crystal copper specimens were measured by an internal friction frequency spectrum apparatus.
用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz附近观测到3个明 显的共振吸收频率峰。
2.
nano-structured copper and single crystal copper specimens were measured by an internal friction frequency spectrum apparatus.
用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz 附近观测到3个明显的共振吸收频率峰。
5) copper nanocrystallite
铜纳米晶
1.
The average size of the copper nanocrystallites was evaluated to be about 40nm based on X-ray diffraction data.
采用无电镀沉积技术在经过机械抛光的单晶硅衬底上沉积了铜纳米晶。
6) nano-crystallinic Cu powders
纳米铜微晶
补充资料：二硒化镓铜晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素三元化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5620nm，共价键结合，有一定离子键成分。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.70eV，一般为p型材料，空穴迁移率2×10-3m2/(V·s)。熔点1040℃。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制取。
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素三元化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5620nm，共价键结合，有一定离子键成分。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.70eV，一般为p型材料，空穴迁移率2×10-3m2/(V·s)。熔点1040℃。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条