1) silane method
硅烷法
1.
The product qualities,safety,transportation,storage,useful deposition ratios,deposition rates,one pass conversions,deposition temperatures,electrical energy consumption and manufacturing costs are summarized for silane,dichlorosilane,trichlorosilane and tetrachlorosilane methods.
对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比 ;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。
2) trimethylsilylation method
三甲基硅烷化法
1.
Meanwhile, the hardening process of phosphorous slag cement was also determined by trimethylsilylation method and mercury porosimeter.
利用X射线衍射、扫描电镜及差热分析等测试手段,对少熟料磷渣水泥的水化产物进行了分析,并结合三甲基硅烷化法和压汞仪对该种水泥的水化硬化过程进行了研究。
3) silicane
['silikein]
硅烷
1.
Research on reaction of silicane grafting onto polyethylene;
聚乙烯硅烷接枝反应的研究
2.
A new method to evaluate on site the waterproofing effect of silicane immersed concrete by way of meas urement of surface soakage is proposed,which has been tested and studied to assess its evaluation results of the water proofing performance of different types of silicane immersed concrete.
提出了一种新的硅烷浸渍混凝土防水效果的混凝土表面吸水量现场评价方法,并试验研究了这种方法对不同的硅烷浸渍混凝土防水性能的评价效果。
3.
This paper presents the regular pattern of protection effect of concrete coated with different type and different concentration of silicane impregnant.
本文针对具体工程,系统进行不同品种硅烷浸渍剂、不同硅烷浓度对混凝土保护性能的影响规律。
4) silane
[英]['silein] [美]['sɪl,en]
硅烷
1.
Adhesive property and anti-corrosion property of silane treating film on steel surface;
钢表面硅烷处理层的粘接性能及防腐性能
2.
Structure and corrosion resistance of self-assembled sulf-silane film on surface of Mg-Gd-Y-Zr alloy;
Mg-Gd-Y-Zr合金表面含硫硅烷薄膜的结构与耐蚀性能
3.
Study on catalytic mechanism and crosslinking kinetics of a silane grafting with polyethylenes;
硅烷接枝聚乙烯的催化机理与交联动力学研究
5) Si-XLPE cables by the Cabsil process
一步法硅烷交联电缆
1.
Analysis of the factors affecting the cross-linking degree of the Si-XLPE cables by the Cabsil process;
一步法硅烷交联电缆交联度的影响因素分析
6) one-step silane grafting and cross-linking
一步法硅烷接枝交联
补充资料:硅多晶的硅烷法制备
硅多晶的硅烷法制备
polycrystalline silicon manufacture by silane process
gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯,将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性,热分解温度低且分解率高,故此法所得硅多晶的纯度高,产率高;但因SIH魂易燃易爆,需采取专门措施。 2。世纪50年代,一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶,均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏,然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在,在以下工序的设备上装有真空夹套,较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产,硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备),其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因,其生产规模停滞在很小的水平上。 美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法,使成本大幅度降低,并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、 整个过程是闭路,一方投入硅与氢,另一方获得硅烷,因此排出物少,对生态环境有利,同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高,其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶,包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶),也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。 美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷,经提纯后进入流态化床进行热分解,制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶,其硼含量小于0.3ppba,已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长,有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群)
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条