1) infixing effect
钻穿效应
1.
Starting from the four concepts of orbit energy, energy class,shielding effect and infixing effect, the author uses the two commonly applied methods of caculation orbit energy to analyse and compare 4s orbit energy and 3d orbit energy.
本文从轨道能、能级、屏蔽效应和钻穿效应这四个概念入手 ,运用计算轨道常见能量的两种方法进行分析和比较轨道能与 3d轨道
2) tunneling effect
遂穿效应
3) tunneling effect
隧穿效应
1.
The simulation study of the tunneling effect in the breakdown of 4H-SiC pn junction diode;
4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究
2.
The exact premises of avoiding the tunneling effect are given.
对垒阱中电子波动行为及隧穿情况做了详细的理论分析,并给出如何避免隧穿效应的具体条件。
3.
By comparing all of the different electron transfer processes between the deep-trap centers(Mn2+/Mn3+) and the shallow-trap centers(Fe2+/Fe3+),our results show that the direct electron exchange between the Mn2+/Mn3+ and the Fe2+/Fe3+ levels due to the tunneling effect dominates the amplitude of total space charge field under di.
在各种实验条件下通过比较双中心模型中深(Mn2+/Mn3+)、浅(Fe2+/Fe3+)能级之间所有可能的电子交换过程,发现由深浅能级之间直接电子交换过程所导致的隧穿效应对LiNbO3:Fe:Mn晶体总的空间电荷场的大小起着决定性的作用。
5) puncture effect
穿通效应
6) penetration effect
穿透效应
补充资料：穿流效应
分子式：
CAS号：
性质：在层流的情况下，溶剂在高分子质心处的流速与外部相同，即高分子迁移时不带走高分子内部的溶剂，溶剂的流动与高分子的存在无关，此种情况称为自由穿流。若流速增大后，溶剂只能在高分子的外缘作相对流动，即高分子迁移时带走高分子内部所有的溶剂，高分子与它所携带的溶剂之间没有相对运动，该情况称为非穿流，一般情况下，高分子迁移时总会带走一部分的溶剂一起迁移，称为部分穿流。
CAS号：
性质：在层流的情况下，溶剂在高分子质心处的流速与外部相同，即高分子迁移时不带走高分子内部的溶剂，溶剂的流动与高分子的存在无关，此种情况称为自由穿流。若流速增大后，溶剂只能在高分子的外缘作相对流动，即高分子迁移时带走高分子内部所有的溶剂，高分子与它所携带的溶剂之间没有相对运动，该情况称为非穿流，一般情况下，高分子迁移时总会带走一部分的溶剂一起迁移，称为部分穿流。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条