1) deposition pressure
沉积气压
1.
To lower the surface roughness of diamond thin films by improving the CVD depositing technology, two kinds of new technical methods are proposed by appropriately increasing the carbon source concentration and controlling the deposition pressure.
为通过改进CVD沉积工艺减小金刚石薄膜表面粗糙度 ,提出了适当提高碳源浓度和合理控制沉积气压两项新的工艺方法 ,并通过切削试验研究了其对金刚石薄膜刀具耐用度及切削性能的影
2.
For the diamond films prepared at high deposition pressure,scanning electron microscope images show clearly the crystals and the Raman spectra have sharp peaks at 1332 cm-1,which shows good quality of diamond films.
研究了微波化学气相沉积中沉积气压对金刚石薄膜生长速率和质量的影响。
3.
The influence of different substrate temperature and different deposition pressure on the crystallinity of GaN films are systematically studied by X-ray Diffraction(XRD),Atomic Force Microscope(AFM).
研究表明,在750℃的沉积温度时,GaN薄膜的结晶质量较高;在20 Pa以下的沉积气压下,GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高。
2) atmospheric chemical vapor deposition
常压气相沉积
3) APCVD
常压化学气相沉积
1.
Preparation of self-cleaning glass coated with TiO_2 on a float glass line by APCVD method
在线常压化学气相沉积方法制备TiO_2自洁薄膜玻璃(英文)
2.
TiN films were coated on glass substrates by atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD) under different growth conditions,including different substrate temperatures and a gaseous mixture of varying chemical concentrations.
本研究以TiCl4和NH3为反应气体,N2为保护气氛,用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备得到了一系列不同反应温度和原料浓度的TiN薄膜。
3.
N-doped TiO_2 films were grown by atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD) with TiCl_4 and NH_3 as precursors.
用常压化学气相沉积(APCVD)法,以四氯化钛(TiCl4)、氧气(O2)和氨气(NH3)作为气相反应先驱体,成功制备了掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。
4) atmospheric pressure chemical vapor deposition
常压化学气相沉积
1.
Titanium nitride(TiN)films were prepared by the atmospheric pressure chemical vapor deposition process using titanium tetrachloride and ammonia as reactive gases.
以TiCl4和NH3为原料,用常压化学气相沉积法在玻璃基板表面沉积得到了TiN薄膜。
2.
TiO_2/SnO_2:F composite films were deposited by atmospheric pressure chemical vapor deposition with Ti(OC_3H_7)_4 as pre- cursors and SnO_2:F coated glass as substrates.
以Ti(OC_3H_7)_4为先驱体,SnO_2:F镀膜玻璃为基板,采用常压化学气相沉积法制备了TiO_2/SnO_2:F复合薄膜。
5) low pressure chemical vapor deposition
低压化学气相沉积
1.
Boron doped carbon(BCx)thin film was prepared at 1 100 ℃ on carbon fiber substrate by low pressure chemical vapor deposition(LPCVD)from BCl3 and C3H6 as boron and carbon sources respectively.
以 BCl3和 C3H6分别作为低压化学气相沉积制备掺硼碳材料的硼源和碳源,采用热壁化学气相沉积炉,于 1 100 ℃在碳纤维基底上制备了掺硼碳薄膜。
2.
Ge nanowires are synthesized by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) combined with porous alumina template.
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 。
6) low-pressure chemical vapor deposition
低压化学气相沉积
1.
Synthesize single-wall carbon namotubes by low-pressure chemical vapor deposition method;
低压化学气相沉积法制备单壁碳纳米管
2.
We report a novel method for obtaining high-density Ge-dots/Si multilayered structures by combining low-pressure chemical vapor deposition and metal-induced lateral crystallization.
研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构。
3.
In this paper,we use low-pressure chemical vapor deposition system to synthesize highly vertically aligned CNTs and non-aligned CNTs respectively,and apply them successfully in super-capacitors,field-emission cathode,as well as biological sensors.
本论文利用低压化学气相沉积系统,分别以酞菁铁和乙炔为碳源制备出了高度定向与非定向的多壁碳纳米管,并将其成功应用于超级电容器和场发射阴极以及生物传感器中,在碳纳米管的应用方面作了初步的尝试。
补充资料：传动：气压传动
以压缩气体为工作介质﹐靠气体的压力传递动力或信息的流体传动。传递动力的系统是将压缩气体经由管道和控制阀输送给气动执行元件﹐把压缩气体的压力能转换为机械能而作功﹔传递信息的系统是利用气动逻辑元件或射流元件以实现逻辑运算等功能﹐亦称气动控制系统。气压传动的特点是﹕工作压力低﹐一般为0.3～0.8兆帕﹐气体黏度小﹐管道阻力损失小﹐便於集中供气和中距离输送﹐使用安全﹐无爆炸和电击危险﹐有过载保护能力﹔但气压传动速度低﹐需要气源。
简史 1829年出现了多级空气压缩机﹐为气压传动的发展创造了条件。1871年风镐开始用於採矿。1868年美国人G.威斯汀豪斯发明气动制动装置﹐并在1872年用於铁路车辆的制动。后来﹐随著兵器﹑机械﹑化工等工业的发展﹐气动机具和控制系统得到广泛的应用。1930年出现了低压气动调节器。50年代研製成功用於导弹尾翼控制的高压气动伺服机构。60年代发明射流和气动逻辑元件﹐遂使气压传动得到很大的发展。
组成 气压传动由气源﹑气动执行元件﹑气动控制阀和气动辅件组成。气源一般由压缩机提供。气动执行元件把压缩气体的压力能转换为机械能﹐用来驱动工作部件﹐包括气缸和气动马达。气动控制阀用来调节气流的方向﹑压力和流量﹐相应地分为方向控制阀﹑压力控制阀和流量控制阀。气动辅件包括﹕净化空气用的分水滤气器﹐改善空气润滑性能的油雾器﹐消除噪声的消声器﹐管子联接件等。在气压传动中还有用来感受和传递各种信息的气动传感器。
简史 1829年出现了多级空气压缩机﹐为气压传动的发展创造了条件。1871年风镐开始用於採矿。1868年美国人G.威斯汀豪斯发明气动制动装置﹐并在1872年用於铁路车辆的制动。后来﹐随著兵器﹑机械﹑化工等工业的发展﹐气动机具和控制系统得到广泛的应用。1930年出现了低压气动调节器。50年代研製成功用於导弹尾翼控制的高压气动伺服机构。60年代发明射流和气动逻辑元件﹐遂使气压传动得到很大的发展。
组成 气压传动由气源﹑气动执行元件﹑气动控制阀和气动辅件组成。气源一般由压缩机提供。气动执行元件把压缩气体的压力能转换为机械能﹐用来驱动工作部件﹐包括气缸和气动马达。气动控制阀用来调节气流的方向﹑压力和流量﹐相应地分为方向控制阀﹑压力控制阀和流量控制阀。气动辅件包括﹕净化空气用的分水滤气器﹐改善空气润滑性能的油雾器﹐消除噪声的消声器﹐管子联接件等。在气压传动中还有用来感受和传递各种信息的气动传感器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条