1) MoS 2 copper graphite composite
二硫化钼-铜-石墨复合材料
2) C Cu composite
石墨-铜复合材料
4) copper-graphite composite
铜-石墨复合材料
1.
The copper-coated Ti3SiC2/copper-graphite composites had been made from copper-coated Ti3SiC2 and copper-graphite by means of powder metallurgy.
用粉末冶金法将镀铜Ti3SiC2与铜、石墨制备成镀铜Ti3SiC2-铜-石墨复合材料,用金相显微镜和扫描电子显微镜观察和分析了复合材料的显微组织和断口形貌,并测试了它们的电阻率、硬度和抗弯强度。
2.
Dry sliding wear tests were performed on a copper-graphite composite and a copper alloy ZQAl9-4 within a wide speed range of 0.
考察了铜-石墨复合材料和商品ZQA l9-4铝青铜材料在干摩擦条件下的室温摩擦磨损性能,得出了两者的磨损图。
5) copper coating graphite-copper composite
镀铜石墨-铜基复合材料
1.
The properties of copper coating carbon fiber/copper coating graphite-copper composite were studied.
研究了镀铜石墨-铜基复合材料中镀铜碳纤维对复合材料电阻、硬度和抗弯强度的影响。
6) Cu/Copper-coated graphite composite
铜-镀铜石墨复合材料
补充资料：二硫化镓铜晶体
分子式：CuGaS2
CAS号：
性质：周期表Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构、晶格常数0.5349nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型材料,空穴迁移率1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、定向凝固法等制备。用于制作可见光电致发光器件。
CAS号：
性质：周期表Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构、晶格常数0.5349nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型材料,空穴迁移率1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、定向凝固法等制备。用于制作可见光电致发光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条