1) Sm-M'
Sin-M'
2) silicon nitride (SiN)
氮化硅(SiN)
3) method of sin￣2ψ
sin~2法
4) cos/sin coil
cos/sin线圈
5) SiN film
SiN薄膜
1.
To fabricate the CGH, the electronic beam lithography is used to exposure the rectangle holes on the SiN film firstly, and then the ICP is used to etch the holes anisotropically The technological process is discussed in detail and in the end a photograph of SiN film CGH is shown.
在分析原子束计算全息片特点的基础上 ,提出采用罗曼Ⅲ型傅里叶变换计算全息图设计原子束计算全息片 ,给出设计步骤 ,然后提出采用电子束光刻编码矩孔图形 ,ICP各向异性刻蚀SiN薄膜的全息片制作方案 ,对全息片的制作工艺流程详细予以介绍 ,最后给出制作完成的SiN薄膜计算全息
6) sin-square function
Sin-square函数
补充资料：SIN
分子式：
CAS号：
性质：在这种互穿网络中，两种聚合物成分是同时生成的。其制备方法是，将单体(I)及单体(Ⅱ)混合在一起，使二者以互不干扰的方式各自聚合并交联。例如，将制备环氧树脂的各组分和制备交联型丙烯酸树脂的各组分混合起来，使丙烯酸类单体先引发聚合，同时加热使环氧树脂各组分进行缩聚反应即可制得同步互穿环氧树脂/丙烯酸树脂聚合物网络。SIN可分为以下几种情况：(1)两种聚合物同时起凝胶，如上述环氧树脂/丙烯酸树脂SIN；(2)预聚物混合后分步聚合，如PU/PMMA等；(3)在两种聚合物之间引入若干接枝点的接枝SIN，如在环氧树脂/丙烯酸树脂SIN中加入少量甲基丙烯酸缩水甘油酯，在SIN形成期间，甲基丙烯酸缩水甘油酯与两种原料反应，在一定位置上产生接枝点。SIN中，若仅有一种聚合物是交联的，则称为半-并发互穿聚合物网络(semi-SIN)，也常称作间充复相聚合物或间充聚合物。
CAS号：
性质：在这种互穿网络中，两种聚合物成分是同时生成的。其制备方法是，将单体(I)及单体(Ⅱ)混合在一起，使二者以互不干扰的方式各自聚合并交联。例如，将制备环氧树脂的各组分和制备交联型丙烯酸树脂的各组分混合起来，使丙烯酸类单体先引发聚合，同时加热使环氧树脂各组分进行缩聚反应即可制得同步互穿环氧树脂/丙烯酸树脂聚合物网络。SIN可分为以下几种情况：(1)两种聚合物同时起凝胶，如上述环氧树脂/丙烯酸树脂SIN；(2)预聚物混合后分步聚合，如PU/PMMA等；(3)在两种聚合物之间引入若干接枝点的接枝SIN，如在环氧树脂/丙烯酸树脂SIN中加入少量甲基丙烯酸缩水甘油酯，在SIN形成期间，甲基丙烯酸缩水甘油酯与两种原料反应，在一定位置上产生接枝点。SIN中，若仅有一种聚合物是交联的，则称为半-并发互穿聚合物网络(semi-SIN)，也常称作间充复相聚合物或间充聚合物。
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参考词条