1) cellular spacing
胞晶间距
1.
4% Mn alloy on a 5?kW CW CO 2 laser were carried out to study the effects of processing parameters (scanning velocity, laser output power) on the growth direction of microstructure in the molten pool and cellular spacing selection under ultrahigh temperature gradient and rapid directional solidification conditions.
4 %Mn合金进行了一系列表面重熔实验 ,就激光束扫描速度对重熔区微观组织生长方向的影响和超高温度梯度快速定向凝固条件下胞晶间距选择规律进行了研究。
2.
3%Mn alloy to investigate the response of microstructure pattern and cellular spacing selection to the variation of growth rate.
３％Ｍｎ进行了系列表面熔凝实验，对该合金的组织形态和胞晶间距选择规律进行了研 究结果表明：随着生长速度的提高，组织形态由低速平界面向细胞晶和高速绝对稳定平界面转变在快速凝固条件下。
3.
4%Mn alloy to investigate the response of microstructure pattern and cellular spacing selection to the variation of growth rate.
利用连续波CO2 激光器对Cu 31 4 %Mn进行了系列表面熔凝实验 ,对该合金的组织形态和胞晶间距选择规律进行了研究 。
3) dendritic distance
枝晶间距
1.
The results show that the variety of segregation parameter is the highest when dendritic distance is 80 μm～120 μm,and the calculated and experimented result of segregation index δ has a .
研究结果认为:偏析指数的变化量Δδ在枝晶间距为80μm～120μm时减小量最大,并且在枝晶间距为120μm的条件下,合金在1160℃退火8h和16h的Nb元素的δ计算值与实验值较符合。
4) dendrite arm spacing
枝晶间距
1.
Quantitative relationship between secondary dendrite arm spacing and solidification cooling rate of AZ31 magnesium alloy;
AZ31镁合金的凝固冷却速率与二次枝晶间距的定量关系
2.
Secondary dendrite arm spacing(DAS) was measured by transvesal method of quantitative metallographic analysis,and the microstructure characters under different solidification cooling rates were analyzed briefly.
用定量金相分析之截线法测定了各个试样的二次枝晶间距,并对不同凝固冷却速度下的组织特征做了简要分析。
3.
The ascast microstructure, chemical composition segregation, dendrite arm spacing, gas content, inclusion and microstructure evolution during CSP rolling process were investigated.
对CSP的铸坯组织、化学成分偏析、枝晶间距、气体含量、夹杂物以及轧制过程中的组织变化进行了研究,结果表明:CSP薄板坯的低倍组织在结构上和传统板坯没有本质区别,但薄板坯组织较为细密,柱状晶比较发达,一次枝晶与二次枝晶间距小,化学成分均匀,铸坯全氧含量为28×10-6,氮含量为47×10-6;第一道次轧制后中心部的疏松和偏析明显减轻,树枝晶沿轧制方向弯曲,但没有被打碎;CSP铸坯中大颗粒夹杂物较少,主要是外来的;内生夹杂物主要以含氧化铝和铝酸盐及氧化钙的为多,尺寸基本都在10μm以内,大部分在2～5μm。
5) eutectic spacing
共晶间距
1.
cm-1 to investigate microstructure and eutectic spacing selection.
5mg·g－1Ni的生长速度与组织及共晶间距选择范围的关系。
2.
Based on the eutectic growth model given by Jackson and Hunt, the principle of regular eutectic spacing selection is suggested by the quasi-kinetics way and, the upper and lower limit of eutectic spacing selection are presented.
在Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ共晶模型的基础上，通过准动力学分析考察了规则共晶生长相间距的选择原理，给出相间距存在的上、下限，发现下限对应于稳定性参数较小的相被淘汰的临界状态，上限对应于稳定性参数较大的相界面出现凹陷生成另一相的临界状态，共晶间距的最可几分布（平均间距）对应于凝固系统相变自由能最低的状态。
6) dendrite spacing
枝晶间距
1.
The liquid/solid interface morphologies and cellular/dendrite spacing adjustment of Al-4%Cu (mass fraction) alloy were studied during directional solidification.
采用定向凝固技术研究Al-4%Cu(质量分数)合金凝固界面形态和胞/枝晶间距调整。
补充资料：晶面间距
分子式：
CAS号：
性质：晶体实际生长出或可能生长出的每种晶面总可找到与之对应的一组等间隔而又互相平行的平面点阵或平面格子。晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵间的垂直距离，用d(h* k* l*),符号表示(下标h* k* l*是与某种晶面对应的晶面指标)。需注意，带心晶格相对于简单晶格，在晶面间距计算中要作一定修正。
CAS号：
性质：晶体实际生长出或可能生长出的每种晶面总可找到与之对应的一组等间隔而又互相平行的平面点阵或平面格子。晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵间的垂直距离，用d(h* k* l*),符号表示(下标h* k* l*是与某种晶面对应的晶面指标)。需注意，带心晶格相对于简单晶格，在晶面间距计算中要作一定修正。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条