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1)  diluted system
非晶态体系
2)  amorphous chalcogenide semiconductor
硫系非晶态半导体
1.
Under light irradiation, especially, Amorphous chalcogenide semiconductor have many photo-induced effects which are applied widely in many major, including optical waveguide, optoelectr.
硫系非晶态半导体材料在近远红外域有很好的透光性,具有较低的本征损耗,以及有制备光波导的优点等。
3)  amorphous powder
非晶态粉体
1.
Determining the glass transition temperature of amorphous powders with dilatometer;
用热膨胀法测量非晶态粉体的玻璃化转变温度
2.
Experimental Study on the Non-enzymatic Browning of Amorphous Powder and Juice;
非晶态粉体及果汁非酶褐变的实验研究
3.
The effective factors on thedispersing stability of amorphous powder and the evaluating methodwere studied with the skim milk powder and its mixtures with theadditives(xanthan gum andβ -cyclodextrins) as model materials.
以脱脂奶粉及其添加剂(黄原胶和β-环糊精)为模型材料,研究了非晶态粉体分散稳定性的影响因素及评价方法。
4)  noncrystalline solid
非晶态固体
5)  nickel based amorphous alloy
镍系非晶态合金
1.
TPD was used to investigate adsorption and desorption of thiophene on nickel based amorphous alloy.
应用程序升温吸附脱附法对噻吩在镍系非晶态合金上的吸附和脱附研究表明 ,常温下 ,噻吩在非晶态合金表面发生物理吸附和化学吸附。
6)  Ni-based amorphous alloy membrane
Ni系非晶态膜
补充资料:磁性材料3.非晶态磁性材料


磁性材料3.非晶态磁性材料
Magnetie Materials 3.AmorPhous

值[20〕。一般回火温度T.与非晶态合金的晶化温度Tct和玻璃化温度几有密切关系。一般说,各类非晶态合金的Ts和叭,之间的差别不大,而热处理温度多在T:或叭r下50~100℃处,时间在30一120~之间。 表‘硅桐片和非.态合金的磁损耗参数l取向硅钢IF一B13一513一eZ率为例,在Bm二0.IT(l .kGs)和f~50kHz时磁化的非晶态合金的井值的时效如图8所示。可以看到,温度高,产下降快,一般是不可逆的。使用温度不太高(例如100℃)时,材料的性能不易变坏,图9给出了两种c。基非晶态合金的八可群与使用时间的关系。当几~80℃时,经历1a的八可群约20%。总的说来,不少非晶态合金在100℃使用温度下可用5~10a。打500 105375片厚,mm电阻率,阁·cm总损Pt,mw/kg磁滞损耗八,mw/kg涡流很耗p.,m、v/比(P.+凡)/Pt0.280 .025 1250。96 98 73 120。872.5.5.时效2040汀一一 .找\岌勺┌─────────────┐│-一一‘啥二‘月卜二‘”’ │├─────────────┤│二,材,分于不 │└─────────────┘图9两种c。基非晶态合金在不同频率下的时效 I一co--M。耳zr合金;1一co一Fe一Si一B合金3.制备方法O州义岌10 102 103 10 时间,s图8两种非晶态合金的产值与时间的关系I一Fe7寻Ni刁MosB17S诬2;l一Co67.SFe刁.SNi3MoZBI‘5112a一200℃时;b一150℃时 非晶态合金在使用时,由于环境温度、时间的延续等,使其性能有不同程度的变化,称之为时效。以磁导3.L薄带 任何金属及其合金在液态时,其原子配位是拓扑无序或短程序的。在冷却过程中,如能维持其高温时的原子分布状态,并使之固化,就得到非晶态固体。要做到这一点,只有在极快的冷却速率下,使熔质由熔点T,以上冷却到玻璃化温度,:以下。这个速率不是固定的,它和生成的非晶态固体的性质、成分和尺寸有很大关系。对于非晶态合金薄带,冷速要在105一1少K/s范围,对于纯金属要高达1 ol0K/s以上,并在远低于室温下才能保存。
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