1) STM scanning
隧道扫描显微镜扫描
2) scanning tunneling microscopy
扫描隧道显微镜
1.
Study of single crystal Au electrode by scanning tunneling microscopy;
单晶金电极的扫描隧道显微镜
2.
The "ultimate" scanning tunneling microscopy images of the Si(111)-(7×7) surfaces;
扫描隧道显微镜分辨能力的研究:对Si(111)-(7×7)表面的观察
3.
The growth and the structure of Dy@C_ 82 isomer Ⅰ on Au(111)has been investigated using ultrahigh-vacuum scanning tunneling microscopy at 78 K.
利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在低温(78K)下研究了不同覆盖度下Dy@C82(Ⅰ)膜在Au(111)表面的生长和结构。
3) STM
扫描隧道显微镜
1.
APPLICATION OF STM TO CORROSION ELECTROCHEMICAL RESEARCH;
扫描隧道显微镜在腐蚀电化学研究中的应用
2.
Teaching Practice for Developing Student s Research Capability in STM Experiment;
在扫描隧道显微镜实验中开展研究性学习
3.
Theoretical investigation and application of STM;
扫描隧道显微镜的理论研究与应用
4) scanning tunneling microscope
扫描隧道显微镜
1.
Fabricating artificial nanostructures with a scanning tunneling microscope;
利用扫描隧道显微镜构建纳米结构
2.
Study of a micropositioner used for scanning tunneling microscope(STM);
扫描隧道显微镜微位移驱动器(爬行器)的研究
3.
The manipulation of Cu subsurface interstitial atoms with scanning tunneling microscope;
用扫描隧道显微镜操纵Cu亚表面自间隙原子
5) scanning tunneling microscope (STM)
扫描隧道显微镜
1.
Scanning tunneling microscope (STM), one of the most effective and important means of testing and processing in nanometer technology, is receiving increasing popularity in application with the rising of nanometer technology.
扫描隧道显微镜(STM)作为纳米科技中最为有效和重要的检测加工手段之一,其应用随着纳米科技热的兴起而日益引起人们的重视,仪器本身的稳定性、图像质量、操作的简便性以及应用领域的拓展和产业化也越来越受到关注。
6) Scanning tunneling microscopy (STM)
扫描隧道显微镜
1.
Self-assembled growth of Ge quantum dots on the Si(111)-(7×7) surface has been investigated by using scanning tunneling microscopy (STM).
用扫描隧道显微镜研究了Si(111) (7× 7)表面上Ge量子点的自组织生长 。
补充资料：频率扫描天线
波束指向角随工作频率的少量改变而有规律地大范围改变的天线,简称频扫天线。这种天线造价较低,工作稳定可靠，主要用于高数据率三坐标雷达。美、英、苏、日等国50年代初开始研究，60年代先后进入实用阶段。中国60年代中期也研制成功这种天线。
图为这种天线的工作原理。天线为一直线阵列,任何两个相邻辐射元的馈电相位差为，式中L为相邻二元之间的馈线长度；&λg为馈线内波长。当改变&λg,即改变馈电频率时,墹ψ、天线阵口径场等相位面倾斜度和波束指向都随着改变，即波束随频率变化而扫描。
辐射元的激励相位是逐个顺次滞后的,可以认为,各辐射元被一等效慢波逐个顺次激励。向全部辐射元馈电的整个馈电系统称为等效慢波系统。等效慢波系统可为曲折形（通称蛇形）结构、螺旋形结构、直波导或同轴线中充填介质或加装电抗膜片等。
通常,在给定频带内希望波束在规定角域内扫描,阵列前半空间内不出现有害的栅瓣,因而需要合理选定L或等效慢波系数和辐射元间距d。由于频扫天线建立稳态波瓣的时间历程较长，波束频扫速率dθ0/df不宜太大，特别是当雷达脉冲宽度较窄时要求更严。通常取频率每变化1％，波束扫描5°～10°为宜。等效慢波结构中的电磁能量损耗较为严重，因此频扫阵列不宜过长，波束宽度通常取1°左右。温度变化能使等效的慢波结构热胀冷缩，从而使波束指向(频率不变时)游移，故须修正指向。波束侧向辐射时，天线的输入电压驻波比会突然增大，须采取措施控制到允许限度之内。
图为这种天线的工作原理。天线为一直线阵列,任何两个相邻辐射元的馈电相位差为，式中L为相邻二元之间的馈线长度；&λg为馈线内波长。当改变&λg,即改变馈电频率时,墹ψ、天线阵口径场等相位面倾斜度和波束指向都随着改变，即波束随频率变化而扫描。
辐射元的激励相位是逐个顺次滞后的,可以认为,各辐射元被一等效慢波逐个顺次激励。向全部辐射元馈电的整个馈电系统称为等效慢波系统。等效慢波系统可为曲折形（通称蛇形）结构、螺旋形结构、直波导或同轴线中充填介质或加装电抗膜片等。
通常,在给定频带内希望波束在规定角域内扫描,阵列前半空间内不出现有害的栅瓣,因而需要合理选定L或等效慢波系数和辐射元间距d。由于频扫天线建立稳态波瓣的时间历程较长，波束频扫速率dθ0/df不宜太大，特别是当雷达脉冲宽度较窄时要求更严。通常取频率每变化1％，波束扫描5°～10°为宜。等效慢波结构中的电磁能量损耗较为严重，因此频扫阵列不宜过长，波束宽度通常取1°左右。温度变化能使等效的慢波结构热胀冷缩，从而使波束指向(频率不变时)游移，故须修正指向。波束侧向辐射时，天线的输入电压驻波比会突然增大，须采取措施控制到允许限度之内。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条