1)  Au/Si
Au/Si
1.
Si/Ti/Au/Si Bonding Technology and Its Application;
Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用
2)  Au/Si
金/硅
3)  Au-Si alloy
Au-Si合金
4)  Au/Si interface
金/硅界面
1.
In order to study the effect of dose enhancement of interface irradiated by X-ray at different directions,a Au/Si interface model is established,then the energy deposit in the model cell are calculated when 50keV X-ray irradiate the interface at different directions,and dose-enhancment factors were obtained.
为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数。
5)  Au/Si interface
Au/Si界面
6)  Au-Si Alloy
金硅合金
参考词条
补充资料：Au-Si surface barrier detector
分子式：
CAS号：

性质： 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻，使该表面发生自然氧化，产生大量空穴，形成p层，然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10～20kev。

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