1) Au-Si surface barrier semiconductor detector
金硅面垒型半导体探测器
3) Si(Au) surface-barrier semiconductor detector
Si(Au)面垒半导体探测器
4) surface-barrier semiconductor detector
金硅面垒探测器
1.
It is made of static high voltage collecting cylinder room,appropriative pump,samping system,filtrator,a silicon de tector and a surface-barrier semiconductor detector.
含有两个探测器(测量氡子体的(?)20mm的硅探测器和测量氡浓度的(?)30mm金硅面垒探测器)。
5) Au-Si surface barrier detector
金硅面垒探测器
1.
Recovery and maintain of Au-Si surface barrier detector;
金硅面垒探测器的修复与保养
6) Au-Si surface barrier detector
金-硅面垒探测器
补充资料：金-硅面垒探测器
分子式：
CAS号：
性质： 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻，使该表面发生自然氧化，产生大量空穴，形成p层，然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10～20kev。
CAS号：
性质： 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻，使该表面发生自然氧化，产生大量空穴，形成p层，然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10～20kev。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条