1) vacuum vapor deposition
真空气相沉积
1.
Two kinds of evaporating materials have been used to prepare Nano ZnO thin films by using vacuum vapor deposition .
采用真空气相沉积法 ,使用两种蒸发源制备纳米 Zn O薄膜 。
2) vapor phase deposition
真空气相沉积
1.
The gas sensing properties of Nd-doping nano-ZnO thin films,grown on glass substrates by vacuum vapor phase deposition,have been studied.
研究了用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备掺稀土Nd的ZnO薄膜的气敏特性,实验给出,经温度为500℃,时间为45min的氧化、热处理的掺Nd的ZnO薄膜的晶粒尺寸、结构特性均发生变化。
3) UHV-CVD
超高真空化学气相沉积
1.
According to the delay in nucleation of SiGe on SiO_2 surface at low temperature,an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHV-CVD)technique was adopted.
利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点,采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术,550℃下,在硅光刻窗口处,选择性生长了锗硅外延层。
4) UHVCVD
超高真空化学气相沉积
1.
Poly-SiGe films prepared by metal-induced growth using UHVCVD system;
金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜
2.
Poly-SiGe films are prepared using a metal-induced growth technique with an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system at low temperatures.
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜。
3.
Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD) was a good choice, it provided a super clean, low temperature, low pressure ambient, and controlled thin films' growth precisely.
超高真空化学气相沉积(UHVCVD)具有超净的生长环境、能够在低温、低压下生长锗硅材料,可精确控制薄膜生长等优点。
5) UHV/CVD
超高真空化学气相沉积
1.
2% C is grown at a relatively high temperature(760 ℃)on Si(100) wafer substrates using Ultra high Vacuum/Chemical Vapor Deposition(UHV/CVD).
用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。
2.
Molecular beam epitaxy (MBE) is described along with three types of chemical vapor deposition: ultrahigh vacuum (UHV/CVD),atmospheric pressure (APCVD),and rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD).
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。
6) vacuum physical vapor deposition
真空物理气相沉积
补充资料：真空绝相宗
【真空绝相宗】
谓此宗说真空实相之中，绝一切虚妄假名之相。故般若心经云：是故空中，无色，无受想行识等，是为真空绝相宗。
谓此宗说真空实相之中，绝一切虚妄假名之相。故般若心经云：是故空中，无色，无受想行识等，是为真空绝相宗。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条