单晶锗,monocrystalline germanium,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) monocrystalline germanium

单晶锗

Binding of rhodacyanine on monocrystalline germanium surface;

若丹菁在单晶锗表面的键合

2) Monocrystalline germanium surface

单晶锗表面

Studies of photosensitive dyes binding to monocrystalline germanium surface;

单晶锗表面键合光敏染料及其电流-电压曲线的测定

A studies on the rhodacyanines photosensitive dyes binding to monocrystalline germanium surface;

若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究

3) single crystal SiGe

单晶锗硅薄膜

4) single crystal

单晶

Preparation of Single Crystal Cu-Al Based Shape Memory Alloy;

单晶Cu-Al系形状记忆合金制备研究

Fracture characterization of the TLP welding specimen of a single crystal superalloy DD3;

镍基单晶合金TLP焊接件破坏特性研究

Effect of heat treatment on microstructure of (Mo_(0.85)Nb_(0.15))Si_2 single crystal;

热处理对(Mo_(0.85)Nb_(0.15))Si_2单晶显微结构的影响

5) single crystals

单晶

Lamellar single crystals of N-ethyl chitosan prepared from concentrated solutions;

从浓溶液制备N-乙基壳聚糖的片状单晶

The preparation technology and development on the single crystals of refractory metals of their alloys were introduced in this paper.

主要介绍了难熔金属W,Mo,Ta,Nb及其合金单晶的制备技术,单晶的发展现状,并对单晶制备技术和单晶材料的发展方向提出了一些合理化建议。

Ni~+ and Zn~+ ion implantations were performed at room temperature inα-Al_2O_3,MgO,YSZ,and TiO_2 single crystals and then annealed in oxidized atmosphere in order to fabricate metal and its oxide nanoparticles.

单晶α-Al_2O_3、MgO、YSZ和TiO_2在室温下分别注入Ni~+和Zn~+离子,然后在氧化气氛中退火,以形成金属及其氧化物纳米晶。

6) crystal

单晶

Synthesis Coordination Properties and Crystal Structure of Nd (C_9H_7O_2)_3·nH_2O Complexes (Ⅰ)Preparation of Monocrystal and Coordination Properties;

β－苯基丙烯酸钕配合物的单晶制备性质研究和晶体结构（Ⅰ）配合物的单晶制备及配位性质

This article reviewed on the physical properties, the crystal structure, the growth methods, and the applications of the SiC single crystal The preparation of the SiC single crystal by sublimation method was introduced in detail The defects of SiC single crystal caused in the PVT process were discusse

本文综述了ＳｉＣ单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸ＳｉＣ单晶的ＰＶＴ法制备和该过程中的关键要素，分析了ＰＶＴ法制备的ＳｉＣ单晶中所存在的缺陷及其成

N-(3,5-Dichloro-2,4-difluorophenyl)-N′-(2,6-difluorobenzoyl)urea,an inhibitor of chitin synthesis,was synthesized and its crystal structure was measurcd.

合成得到苯甲酰脲类昆虫生长调节剂Ｎ－（３，５－二氯－２，４－二氟）－Ｎ′－（２，６－二氟苯甲酰基）脲（ｔｒｉｆｌｕｂｅｎｚｕｒｏｎ，伏虫隆），并对其单晶结构进行了测定和研究，发现其属于三斜晶，Ｚ＝６，且在一个晶胞中有三个具有不同构像的伏虫隆分子，而作为其活性元的脲桥以分子内氢键形成了一个稳定的六员环。

参考词条

单晶衍射单晶体单晶枝晶 NiMnGa单晶钼单晶体单晶管材单晶生长单晶锭单晶结构 ZnWO4单晶微g加速度计股（腘）动脉伤

补充资料：辐射探测器用锗单晶

辐射探测器用锗单晶
germanium crystal for radiation detector

fushe toneeqlyong zhedonjlng辐射探测器用锗单晶(germanium erystalfor radiation deteetor)辐射探测器是一种将核辐射线转换成电学信号的器件。这种探测器实际上是一个反向偏置二极管，在高反向偏压作用下，形成很宽的耗尽区(灵敏区)，当射线进入时产生电子空穴对，在耗尽区电场作用下被收集，产生脉冲电荷被记录下来。锗辐射探测器有高纯锗探测器与锗(锉)探测器，前者正逐步取代后者。早期探测器为气体计数器和闪烁计数器如Nal(T!)，后来发展为半导体探测器。1949年制出了第个锗探测器测量a粒子，后来相继出现锗(锉)及硅(锉)探测器。Ge(Li)探测器体积达Zoocm3，分辨率为1.8一2.okeV(CoS0z.33MeV)。但Ge(Li)探测器不仅要在液氮下工作而且还要在液氮下保存。70年代初制成了高纯锗(HPGe)探测器，避免用液氮保护，简化了探测器制作工艺，现正逐步取代Ge(I，i)探测器。就其灵敏体积与分辨率.HPGe探测器已达到Ge(Li)探测器的同等水平。 Ge(Li)探测器用单晶要求掺入单一的p型杂质，一般为稼，这样用铿漂移可以达到精确补偿，所以用高纯的多晶在纯氢或纯氢中提纯和生长单晶，使晶体中氧含量低于1只101头/c m3，防止氧与铿作用产生Li一0沉淀，因此要求锗单晶铿漂移迁移率大干1只10训cm/(V.S)。化学与物理提纯注意对深能级杂质铜、银、镍、钻、铁和硫系元素的净化，因为它们大多是严重的空穴陷阱，影响探测器分辨率。生长Ge(I_i)单晶和HPGe探测器用单晶利用合理热场，避免系属结构和位错团，因为它们是空穴陷阱，位错应在5火1。“/c mZ以内，无位错或低位错会产生大量的空位也是严重的空穴陷阱，对于耗尽层宽度为厘米级HPGe同轴探测器，要求高纯锗单晶的净杂质浓度为镇Zxlo，。/c m3，因此需要在有碳和二氧化硅涂层的石英舟内进行深度多级区域提纯，以获得101。/cm“杂质浓度的高纯多晶，然后在人造高纯石英增竭内，多次再结晶生长单曰日日。 Ge(L，)和HPGe探测器适用于高低能谱区(X、Y)射线，广泛应用于冶化分析，X射线荧光分析，金属探矿(铀、金)，石油测井，煤田勘探，核医疗诊断，空间物理和射电天文学以及环境监测等各领域。

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1) monocrystalline germanium 单晶锗 1. Binding of rhodacyanine on monocrystalline germanium surface; 若丹菁在单晶锗表面的键合 2) Monocrystalline germanium surface 单晶锗表面 1. Studies of photosensitive dyes binding to monocrystalline germanium surface; 单晶锗表面键合光敏染料及其电流-电压曲线的测定 2. A studies on the rhodacyanines photosensitive dyes binding to monocrystalline germanium surface; 若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究 3) single crystal SiGe 单晶锗硅薄膜 4) single crystal 单晶 1. Preparation of Single Crystal Cu-Al Based Shape Memory Alloy; 单晶Cu-Al系形状记忆合金制备研究 2. Fracture characterization of the TLP welding specimen of a single crystal superalloy DD3; 镍基单晶合金TLP焊接件破坏特性研究 3. Effect of heat treatment on microstructure of (Mo_(0.85)Nb_(0.15))Si_2 single crystal; 热处理对(Mo_(0.85)Nb_(0.15))Si_2单晶显微结构的影响 5) single crystals 单晶 1. Lamellar single crystals of N-ethyl chitosan prepared from concentrated solutions; 从浓溶液制备N-乙基壳聚糖的片状单晶 2. The preparation technology and development on the single crystals of refractory metals of their alloys were introduced in this paper. 主要介绍了难熔金属W,Mo,Ta,Nb及其合金单晶的制备技术,单晶的发展现状,并对单晶制备技术和单晶材料的发展方向提出了一些合理化建议。 3. Ni~+ and Zn~+ ion implantations were performed at room temperature inα-Al_2O_3,MgO,YSZ,and TiO_2 single crystals and then annealed in oxidized atmosphere in order to fabricate metal and its oxide nanoparticles. 单晶α-Al_2O_3、MgO、YSZ和TiO_2在室温下分别注入Ni~+和Zn~+离子,然后在氧化气氛中退火,以形成金属及其氧化物纳米晶。 6) crystal 单晶 1. Synthesis Coordination Properties and Crystal Structure of Nd (C_9H_7O_2)_3·nH_2O Complexes (Ⅰ)Preparation of Monocrystal and Coordination Properties; β－苯基丙烯酸钕配合物的单晶制备性质研究和晶体结构（Ⅰ）配合物的单晶制备及配位性质 2. This article reviewed on the physical properties, the crystal structure, the growth methods, and the applications of the SiC single crystal The preparation of the SiC single crystal by sublimation method was introduced in detail The defects of SiC single crystal caused in the PVT process were discusse 本文综述了ＳｉＣ单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸ＳｉＣ单晶的ＰＶＴ法制备和该过程中的关键要素，分析了ＰＶＴ法制备的ＳｉＣ单晶中所存在的缺陷及其成 3. N-(3,5-Dichloro-2,4-difluorophenyl)-N′-(2,6-difluorobenzoyl)urea,an inhibitor of chitin synthesis,was synthesized and its crystal structure was measurcd. 合成得到苯甲酰脲类昆虫生长调节剂Ｎ－（３，５－二氯－２，４－二氟）－Ｎ′－（２，６－二氟苯甲酰基）脲（ｔｒｉｆｌｕｂｅｎｚｕｒｏｎ，伏虫隆），并对其单晶结构进行了测定和研究，发现其属于三斜晶，Ｚ＝６，且在一个晶胞中有三个具有不同构像的伏虫隆分子，而作为其活性元的脲桥以分子内氢键形成了一个稳定的六员环。参考词条单晶衍射单晶体单晶枝晶 NiMnGa单晶钼单晶体单晶管材单晶生长单晶锭单晶结构 ZnWO4单晶微g加速度计股（腘）动脉伤补充资料：辐射探测器用锗单晶辐射探测器用锗单晶 germanium crystal for radiation detector fushe toneeqlyong zhedonjlng辐射探测器用锗单晶(germanium erystalfor radiation deteetor)辐射探测器是一种将核辐射线转换成电学信号的器件。这种探测器实际上是一个反向偏置二极管，在高反向偏压作用下，形成很宽的耗尽区(灵敏区)，当射线进入时产生电子空穴对，在耗尽区电场作用下被收集，产生脉冲电荷被记录下来。锗辐射探测器有高纯锗探测器与锗(锉)探测器，前者正逐步取代后者。早期探测器为气体计数器和闪烁计数器如Nal(T!)，后来发展为半导体探测器。1949年制出了第个锗探测器测量a粒子，后来相继出现锗(锉)及硅(锉)探测器。Ge(Li)探测器体积达Zoocm3，分辨率为1.8一2.okeV(CoS0z.33MeV)。但Ge(Li)探测器不仅要在液氮下工作而且还要在液氮下保存。70年代初制成了高纯锗(HPGe)探测器，避免用液氮保护，简化了探测器制作工艺，现正逐步取代Ge(I，i)探测器。就其灵敏体积与分辨率.HPGe探测器已达到Ge(Li)探测器的同等水平。 Ge(Li)探测器用单晶要求掺入单一的p型杂质，一般为稼，这样用铿漂移可以达到精确补偿，所以用高纯的多晶在纯氢或纯氢中提纯和生长单晶，使晶体中氧含量低于1只101头/c m3，防止氧与铿作用产生Li一0沉淀，因此要求锗单晶铿漂移迁移率大干1只10训cm/(V.S)。化学与物理提纯注意对深能级杂质铜、银、镍、钻、铁和硫系元素的净化，因为它们大多是严重的空穴陷阱，影响探测器分辨率。生长Ge(I_i)单晶和HPGe探测器用单晶利用合理热场，避免系属结构和位错团，因为它们是空穴陷阱，位错应在5火1。“/c mZ以内，无位错或低位错会产生大量的空位也是严重的空穴陷阱，对于耗尽层宽度为厘米级HPGe同轴探测器，要求高纯锗单晶的净杂质浓度为镇Zxlo，。/c m3，因此需要在有碳和二氧化硅涂层的石英舟内进行深度多级区域提纯，以获得101。/cm“杂质浓度的高纯多晶，然后在人造高纯石英增竭内，多次再结晶生长单曰日日。 Ge(L，)和HPGe探测器适用于高低能谱区(X、Y)射线，广泛应用于冶化分析，X射线荧光分析，金属探矿(铀、金)，石油测井，煤田勘探，核医疗诊断，空间物理和射电天文学以及环境监测等各领域。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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