1) 2 D Ag film
二维银膜
2) Two-dimensional film
二维有序膜
3) Ag film
银膜
1.
Ag films with various thicknesses were deposited on 45 steel and stainless steel substrates at low temperatures.
利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和真空摩擦试验机对低温沉积银膜的晶体结构、表面形貌和摩擦学性能进行了研究。
2.
Optical properties and adhesion of Ag films with Cr interlayer of different thickness on glass substrates were investigated by using spectrophotometer and X-ray diffraction (XRD).
研究了在玻璃基底上采用不同厚度的铬膜作过渡层,对银膜的光学性质及其附着力的影响。
3.
The experimental results show that Raman spectrum of DNA in aqueous solution without any fluorescence interference can be obtained at low concentration (1μg/ml) via adsorption groups of DNA on surface of Ag film.
实验表明，由于银膜底物对水溶液中ＤＮＡ各基因的有效吸附，可在较低浓度下（１μｍ／ｍｌ）获得不受荧光干扰的拉曼光谱图，其频率和相对强度分布与所测固态ＤＮＡ拉曼光谱有明显的差异。
4) silver film
银膜
1.
New technology for anti-tarnish of silver film gained by magnetron sputtering;
防磁控溅射镀银膜变色新工艺
2.
It is imperative to seek for strategies to increase the anti-tarnishing ability of silver film, since the liability of silver film to lose brightness and tarnish in air has significant influence on its application.
银膜在大气中容易失光变色,严重影响其应用。
3.
The normal Raman spectra and the surface-enhanced Raman spectra of piperidine on the silver film and in the silver sol-gel are obtained,the spectrograph of France JOBIN YVON Company was used in experiment which assured the reliability of the measured date.
实验用法国JOBIN YVON公司的光谱仪测定了六氢吡啶的正常拉曼光谱及其在银溶胶、银膜表面的表面增强拉曼光谱(SERS),确保了实验结果的可靠性。
5) Ag-doping TiO_2 thin film
掺银二氧化钛薄膜
6) Nano-Ag/TiO_2 thin film
载银纳米二氧化钛薄膜
1.
In this study, the antibacterial ceramicswas prepared by loading Nano-Ag/TiO_2 thin film onto the galz.
本课题采用将载银纳米二氧化钛薄膜镀制在陶瓷釉面的方法制备抗菌自洁陶瓷，重点研究了载银纳米二氧化钛水溶胶的制备工艺和镀膜热处理工艺及它们与釉面薄膜光催化性能和抗菌性能的关系。
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条