1) infrared transmission
红外透射
1.
the SEM results of etched pit density (EPD) of the radiated GaAs wafer by preferential etching with KOH melt show the "W"linear profiles of lightly chromium doped GaAs crystals; The infrared transmission results of optical processing GaAs samples show that the effect of EPD on infrared transmission can be neglected if the value of.
红外透射测量结果表明:当位错密度不太高时,位错引入的电子态的体密度低,位错的径向分布对红外透过率的影响很小;当位错密度很高时,其对红外透过率的影响不可忽视。
2.
Using the infrared transmission theory, which is to say that the bonding part of thesample can make the light pass, and the un-bonding part of the sample will block the light, at thesame time, the unique method of cold lamp-house is used to manufacture the instrument of testingthe wafer bonding quality in order to select the high quality one for the next technical research.
利用红外透射原理,即根据键合晶片中键合部分可以透光而未键合部分几乎不能透光的原理,同时采用冷光源的独特方法构建了键合质量测试平台以用于初步筛选符合下一步工艺探索的高质量键合晶片。
3.
It was observed that, after boiling the samples in water, the infrared transmittance increased, the absorption edge was moved to the short wave direction and the absorption below the energy gap was reduced, and that the range of infrared transmission was narrowed.
采用红外透射测量观测了氢钝化对Hg_(1-x)Cd_xTe晶片的影响,用分层模型计算了晶片透射率,分析了氢钝化增加其透射率、吸收边向短波方向移动、低于禁带宽度能量的吸收降低、透过范围减小的原因。
2) Near-Infrared Transmission
近红外透射
1.
Soybean Whole Kernels Analysis by Near-Infrared Transmission Technique;
近红外透射技术分析大豆籽粒
3) far infrared transmittance spectra(FIT)
远红外透射
4) FTIR
红外透射谱
1.
Fourier transform infrared spectrum(FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) are used to analyze the interface of Si/Si bonding.
采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组分为Si和O,无OH和H网络存在。
5) infrared transmission
红外线透射
6) infrared transmission
红外透射率
1.
Effect of the polished surface defects of diamond film on infrared transmission
金刚石膜抛光表面缺陷对其红外透射率的影响
补充资料：红外透射材料
能透过红外辐射的材料，用于制造红外仪器的部件，如红外探测器的窗口、红外仪器光学系统的透镜和棱镜等。对这些材料的要求是：①能透过所需波段的红外辐射；②有尽可能高的透射比；③机械强度高；④化学稳定性好。
若红外透射材料是平板型，当红外辐射投射到它的表面上时，部分被反射，其余进入体内。进入体内的有一部分被吸收,剩余部分透射过去。若吸收比为α，反射比为ρ，透射比为τ(都是对入射辐射功率之比而言)，则α＋ρ＋τ＝1。红外透射?牧弦笥芯】赡艽蟮?τ，α、ρ应尽可能小。后两者皆取决于物质的微观结构。
α 决定于物质内部的辐射吸收过程，如晶格振动吸收所引起的基本吸收，分子晶体中的分子振动和转动所引起的特征吸收，以及半导体中电子从价带跃迁到导带的本征吸收。这些都是材料所固有的辐射吸收过程。此外,尚有杂质吸收、自由载流子吸收,多晶体中晶粒间界的散射所引起的辐射衰减也相当于吸收。固体材料中任一个固有的辐射吸收过程，都会在某一波段引起相当大的吸收。因而τ必然很小。因此,红外透射材料的透射波段只能选择在没有这类固有吸收过程的波段内，而且其他吸收也必须降低到可以忽略的程度,即α≈0。这样,就只有反射的损失。
反射有漫反射和镜面反射两种。漫反射与表面光洁度有关，越光洁漫反射率就越低。必须设法将这部分反射损失降低到可忽略不计的程度。镜面反射与材料的折射率有关。在没有吸收的波段,对于垂直投射的辐射,其反射率为
式中 n为材料的折射率。反射率是指一个面上反射辐射功率与入射辐射功率之比。通常在测量时，把红外透射材料做成有两个平行表面的薄板。当进入材料的辐射碰到第二个表面时，也有部分被反射,回到第一个表面,而且又有部分辐射透出表面，与第一次反射辐射叠加。因而实际测量的反射比是多次反射的叠加，其结果为
折射率越大，反射率和反射比就越大。有些半导体材料的折射率大致为4。因此，在透明区反射损失约为 53％。这一反射损失，可用增透膜的办法予以减小。
材料的机械强度和化学稳定性也是由材料的本质决定的。因此，有用的红外透射材料是在研究大量固体材料的基础上选择出来的。图中为常用的几种红外透射材料的透射光谱。
若红外透射材料是平板型，当红外辐射投射到它的表面上时，部分被反射，其余进入体内。进入体内的有一部分被吸收,剩余部分透射过去。若吸收比为α，反射比为ρ，透射比为τ(都是对入射辐射功率之比而言)，则α＋ρ＋τ＝1。红外透射?牧弦笥芯】赡艽蟮?τ，α、ρ应尽可能小。后两者皆取决于物质的微观结构。
α 决定于物质内部的辐射吸收过程，如晶格振动吸收所引起的基本吸收，分子晶体中的分子振动和转动所引起的特征吸收，以及半导体中电子从价带跃迁到导带的本征吸收。这些都是材料所固有的辐射吸收过程。此外,尚有杂质吸收、自由载流子吸收,多晶体中晶粒间界的散射所引起的辐射衰减也相当于吸收。固体材料中任一个固有的辐射吸收过程，都会在某一波段引起相当大的吸收。因而τ必然很小。因此,红外透射材料的透射波段只能选择在没有这类固有吸收过程的波段内，而且其他吸收也必须降低到可以忽略的程度,即α≈0。这样,就只有反射的损失。
反射有漫反射和镜面反射两种。漫反射与表面光洁度有关，越光洁漫反射率就越低。必须设法将这部分反射损失降低到可忽略不计的程度。镜面反射与材料的折射率有关。在没有吸收的波段,对于垂直投射的辐射,其反射率为
式中 n为材料的折射率。反射率是指一个面上反射辐射功率与入射辐射功率之比。通常在测量时，把红外透射材料做成有两个平行表面的薄板。当进入材料的辐射碰到第二个表面时，也有部分被反射,回到第一个表面,而且又有部分辐射透出表面，与第一次反射辐射叠加。因而实际测量的反射比是多次反射的叠加，其结果为
折射率越大，反射率和反射比就越大。有些半导体材料的折射率大致为4。因此，在透明区反射损失约为 53％。这一反射损失，可用增透膜的办法予以减小。
材料的机械强度和化学稳定性也是由材料的本质决定的。因此，有用的红外透射材料是在研究大量固体材料的基础上选择出来的。图中为常用的几种红外透射材料的透射光谱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条