1) liquid argon high-pressure gasification
液氩高压气化
2) liquid argon low-pressure gasification
液氩低压气化
3) high pressure liquefied gases
高压液化气体
4) Ar pressure
氩气分压
1.
Effect of Ar pressure and film thickness on the microstructure and stress properties of Al films;
氩气分压与膜厚对溅射Al膜微结构及应力的影响
2.
Al films, grown on Si wafers by DC magnetron sputtering, were studied with X-ray diffraction and optical phase-shift technology at different Ar pressures.
在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜。
5) Argon pressure
氩气压
1.
The Influence of sputtereing argon pressure and power on the properties of DyFeCo amorphous film are discussed.
本文采用射频磁控溅射方法制备了ＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压，溅射功率对ＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响，实验表明：反射率随氩气压升高而降低，矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减少，高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差，本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减少。
6) argon atmosphere at reduced pressure
减压氩气
1.
Influence of matrices on electron temperature of laser micro-plasma in argon atmosphere at reduced pressure;
减压氩气下基体对激光微等离子体电子温度的影响
补充资料：氩39-氩40法测年
分子式：
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条