1) DUV resist
DUV光致抗蚀剂
2) Photoresists
光致抗蚀剂
1.
The importance of photoresists in microelectronic industry is described in this review,emphasizing the characteristics of polysilane photoresists and the developing situation of ultra violet, deep ultraviolet, X-ray,electron-beam polysilane photoresists etc.
概述了光致抗蚀剂在微电子工业中的作用,着重介绍了聚硅烷光致抗蚀剂的特点,以及聚硅烷紫外、深紫外、X射线、电子未等抗蚀剂的发展状
2.
Polysilynes, a new kind of high-performance materials, are reviewed on the present investigation of their synthesis, structure, reactions and applications as semiconductors, conductive SiC thin films, optical waveguides and photoresists.
本文综述了一类新型的高功能材料——聚硅炔的合成、结构、反应以及作为半导体、导电性SiC薄膜、光学波导器和光致抗蚀剂的应用的研究现状。
3) photoresist
[,fəutəuri'zist]
光致抗蚀剂
1.
Preparation of Cresol-formaldehyde Resins Used for Making Positive Photoresist;
正性光致抗蚀剂用酚醛树脂的制备
2.
Research progress and application status of UV positive photoresist;
紫外正性光致抗蚀剂的研究进展及应用现状
3.
Experiments on two-photon Optical storage in photoresist;
以光致抗蚀剂为记录介质的双光子存储实验
4) positive photoresist
正型光致抗蚀剂
1.
This paper focuses on the positive photoresist’s application performance influence that the graft matrix and 2,1,5-sulfonylchloride(2-azo-1-naphthoquinone-5-sulfonyl chloride)(NDQ),which are used for composing LCD positive photoresist sensitive resin(PAC).
本文研究了液晶显示器件(LCD)正型光致抗蚀剂用感光树脂(PAC)所需接枝母体和2,1,5-重氮萘醌磺酰氯(NDQ)对正型光致抗蚀剂应用性能的影响。
5) UV photoresist
紫外光致抗蚀剂
1.
So,the article introduces several important UV photoresists and their development in recent years.
本文介绍了近年来几种主要的紫外光致抗蚀剂及其研究进展,对ArF激基体激光(193nm)光致抗蚀剂的各个组分进行了归纳综述。
6) photoresists containing wastewater
光致抗蚀剂废水
1.
The inorganic and organic pollutants in the photoresists containing wastewater after the treatment of the iron chipping micro electrolysis are analyzed by ICP-AES and GC-MS.
采用色谱 -质谱联用分析仪和电感耦合等离子体发射光谱仪分析和鉴定了光致抗蚀剂废水中的污染物。
补充资料：光致抗蚀剂及其配套化学品
分子式：
CAS号：
性质：光致抗蚀剂又称光刻胶，它是一种光敏高分子聚合物。当它受到光能照射时，分子内部发生聚合或分解反应，电子工业在微细加工中利用这种特性能得到所需的几何图形。光刻胶具有光化学、抗蚀、一定的机械及耐热特性，使用范围已愈来愈广，除在电子工业使用外，还能用于印刷工业中凸版的刻蚀、电镀工业中的保护层、精密仪器加工中的光栅、应力片、钟表加工等。一般光刻胶由成膜材料、光敏材料、溶剂及添加剂等组成，光刻胶可按显影后在光刻胶涂膜上所形成的图形与掩模图形关系分为正负型两种，与掩模图形相合的为正性光刻胶，反之为负性光刻胶。又可按曝光光源类型分成紫外光刻胶及辐射光刻胶。在光刻过程中所使用的显影剂、去膜剂、漂洗剂及稀释剂统称光刻胶配套化学品。
CAS号：
性质：光致抗蚀剂又称光刻胶，它是一种光敏高分子聚合物。当它受到光能照射时，分子内部发生聚合或分解反应，电子工业在微细加工中利用这种特性能得到所需的几何图形。光刻胶具有光化学、抗蚀、一定的机械及耐热特性，使用范围已愈来愈广，除在电子工业使用外，还能用于印刷工业中凸版的刻蚀、电镀工业中的保护层、精密仪器加工中的光栅、应力片、钟表加工等。一般光刻胶由成膜材料、光敏材料、溶剂及添加剂等组成，光刻胶可按显影后在光刻胶涂膜上所形成的图形与掩模图形关系分为正负型两种，与掩模图形相合的为正性光刻胶，反之为负性光刻胶。又可按曝光光源类型分成紫外光刻胶及辐射光刻胶。在光刻过程中所使用的显影剂、去膜剂、漂洗剂及稀释剂统称光刻胶配套化学品。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条