2) Al_2O_3/SiC composite materials
A1203/SiC复相陶瓷
3) Ti_3SiC_2/SiC multiphase ceramics
Ti3SiC2/SiC复相陶瓷
1.
The high temperature oxidation behavior of the Ti_3SiC_2/SiC multiphase ceramics fabricated by in-situ synthesis under hot isostatic pressing were studied.
利用热等静压原位合成技术制备了Ti3SiC2/SiC复相陶瓷,对其高温氧化行为进行了研究。
4) TiB2-SiC matrix composites
TiB_2-SiC基复相陶瓷
5) SiC-Y_3Al_5O_(12) composite ceramics
SiC-Y3Al5O12复相陶瓷
6) SiC(W)/Si3N4 composite ceramics
SiC(W)/Si3N4复相陶瓷
补充资料:陶瓷表面、界面和界相
陶瓷表面、界面和界相
eeramie surfaee inter-faCeafldinterPhase
陶瓷表面、界面和界相。eramiC Surfaee inter-face and interphase任何固体材料都有表面。表面的结构和原子排列决定能量状态,因而影响材料的性能,尤其是电性能和光学性能,并决定材料是否具有催化性能。利用一些陶瓷表面结构与湿度的密切关系,可制成湿度探测器。如用多孔氧化铝膜制造成的湿度探测器,被探测的水气通过可渗透的顶部金质电极在多孔A12O3壁上达到平衡,这一情形改变结构通道,因而具有表面电导性能。 表面科学必然涉及界面问题。晶界是多晶材料(陶瓷是一种典型的多晶材料)中最常见的界面现象。作为多晶材料中分割晶粒的界面,可看成材料从一个晶粒向另一个晶粒的结构过渡形式。晶界的宽度一般为原子间距的数量级,可认为是二维和三维的中间状态。晶界的化学成分,尤其是杂质的成分,影响陶瓷材料的强度,特别是高温强度、蠕变性能、硬度等。晶界组成可影响陶瓷材料的烧结机理属性、晶粒的重结晶,并改变晶界的相变。在功能陶瓷中,如电容器陶瓷、正温度系数(PTC)陶瓷等,晶界在调节材料的性能上是重要的因素。对于很多材料,要求晶界尽量“清洁”,即没有杂质和第二相。对于半导体材料,由于晶界的存在产生悬键,从而给出具有扰动特性的空域能带。若有杂质富集,将改变能带状态,因此这类材料需要清洁晶界。材料界面中薄膜和底材之间形成的界面所产生的缺陷,对半导体材料电性能影响很大,因此制备时要加以控制。 随着界面问题的深入研究,以及多相体系在材料中的日趋重要,又提出了界相这一概念。所谓界相是指不同相之间的界面。在多相复合陶瓷中,有纤维或晶须与母相之间、有两相弥散与母相之间、有两个或多个主晶相之间,以至在陶瓷相与金属相、陶瓷相与高分子相之间的界相问题。它们在化学上的相容、在物理上的匹配,以及结合性状和显微结构,均为这类陶瓷材料的设计提供了有用的信息和依据。‘ (温树林)
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参考词条