1) two-dimensional crystal
二维晶体
1.
The diffraction of two-dimensional crystal as special case of three-dimensional crystal is researched.
讨论和研究了干涉函数对衍射的影响,提出并证明了Laue方程的一般表达式和有关倒易空间与倒易向量的2个定理,研究了作为三维晶体特例的二维晶体的衍射,讨论了二维晶体倒易点阵的物理内容和点阵点的权重。
2.
The crystallographic problems of two-dimensional crystal,such as the matrix expression, the symmetry and the systematic absence law of the crystal's X-ray diffraction, are studied.
对二维晶体的矩阵表示、对称性及其对X射线衍射的系统消光规律进行了研究,得到并证明了二维晶体的矩阵表示的二个定理和二维晶体对X射线衍射的系统消光定理。
2) 2D DNA lattice
二维DNA晶体
3) two-dimensional NaCl crystal
二维NaCl晶体
4) two-dimensional colloidal crystal
二维胶体晶体
1.
In the article we discussed the process of prepairing two-dimensional colloidal crystal of polystyrene spheres using self-assembling method in laboratory.
文中探讨了在实验室中用自组装的方法制备聚苯乙烯小球二维胶体晶体的过程,并实验研究了He-Ne激光器发出的激光束聚焦到样品上所产生的可见光衍射图案。
5) 2D photonic crystal
二维光子晶体
1.
The transmitted character of 2D photonic crystal was calculated by transfer matrix method(TMM), and the transmission behavior of the different polarized light was discussed.
用转移矩阵方法计算了二维光子晶体的传输性质 ,讨论了不同极化光的透射行为 ,比较了正方点阵、有心正方点阵、含缺陷有心正方点阵光子能带对透射特性的影响 ,获得了第一禁带特性与光子晶体结构的一些基本关系 。
2.
We introduced two new types of 2D photonic crystal structures for.
5％，该结果远大于已提出的各向异性二维光子晶体的完全禁带。
3.
Thus the templates that can be used to produce 2D photonic crystals in any wavelength of photic wave band were prepared, and these templates can match the needs of photonic crystals tem.
选择模板填充材料和电沉积条件,制备不同介电常数差的两相介质有序排列(二维光子晶体),并对其进行表征。
6) two-dimensional photonic crystal
二维光子晶体
1.
All sort of excitation source numerical simulation of two-dimensional photonic crystal by Finite-Defferce-Time-Domain(FDTD) are analyzed The Influence of pure plane wave source and Gaussian beam source in numerical simulation of two-dimensional photonic crystal is studied.
用时域有限差分法(FDTD)分析了二维光子晶体的传输特性,研究了纯平面波源、高斯波源对传输特性的影响,指出在同一种激励源情况,二维光子晶体的传输特性与其入射角有关。
2.
A finite difference time domain method is used to simulate the effective dielectric constant of two-dimensional photonic crystal which is formed with carbon nanotubes.
把有序排列的碳纳米管看做二维光子晶体,引入平均场方法,先计算单根纳米碳管的有效介电常数,再用时域有限差分方法(FDTD)计算碳管阵列的有效介电常数,其结果与Maxwell-Garnett(MG)法结果相比,更接近实验数据。
3.
Energy band characteristic of two-dimensional photonic crystal is analyzed through finite difference time domain and Bloch boundary method.
采用时域有限差分加B loch边界方法得到了二维光子晶体的能带特性,结合超元胞的方法计算了含有点缺陷和线缺陷的光子晶体的特性,并且得到了缺陷模式的场分布,通过对能带特性的分析,将对光子晶体的研究从量子阱结构发展到了量子点结构。
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条