1) mechanism of ceramic metallization
陶瓷金属化机理
2) Metallization
[,metəlai'zeiʃən]
陶瓷金属化
1.
Manufacture of the Continuous Furnace for High Temperature Ceramic Metallization;
简要介绍了陶瓷金属化炉的用途、类型、结构形式、特点等内容,以及在高温陶瓷金属化炉的引进、消化吸收、国产化方面所作的工作及经验、教训等。
4) transformation of metal surface into ceramic
金属陶瓷化
5) metal oxide ceramic
金属氧化物陶瓷
1.
The research works in the field of inert anode are reviewed,including metal oxide ceramic anode,alloy anode,cermet anode.
综述了国内外近年来在惰性阳极方面所做的研究,包括金属氧化物陶瓷阳极、合金阳极、金属陶瓷阳极。
6) metallization of ceramic surface
陶瓷表面金属化
补充资料：陶瓷金属化
分子式：
CAS号：
性质：在陶瓷表面通过烧渗法、化学镀法或真空蒸发法等形成金属层的工艺。按成膜厚度可分为薄膜金属化和厚膜金属化两种。通常薄膜厚度为10-1～10-2μm(如气相沉积法)。厚膜一般厚度达20μm(如难熔金属烧结法)。金属膜常用的材料有钨、钼、钯、银、铜、镍、锡等。常用工艺有难熔金属烧结法和贵金属烧结法。还有化学镀膜、浸锡、真空蒸发、溅射和化学气相沉积等。陶瓷金属化工艺主要用于陶瓷金属封接、薄膜集成电路、电气元件引线接头等。
CAS号：
性质：在陶瓷表面通过烧渗法、化学镀法或真空蒸发法等形成金属层的工艺。按成膜厚度可分为薄膜金属化和厚膜金属化两种。通常薄膜厚度为10-1～10-2μm(如气相沉积法)。厚膜一般厚度达20μm(如难熔金属烧结法)。金属膜常用的材料有钨、钼、钯、银、铜、镍、锡等。常用工艺有难熔金属烧结法和贵金属烧结法。还有化学镀膜、浸锡、真空蒸发、溅射和化学气相沉积等。陶瓷金属化工艺主要用于陶瓷金属封接、薄膜集成电路、电气元件引线接头等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条