1) PECVD
等离子增强化学沉积
1.
Si thin film prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition ( PECVD ) is characterized by small-thickness and nanocrystallites.
等离子增强化学沉积生长的纳米硅薄膜是由纳米级尺寸的晶粒和晶界组成的厚度极薄的薄膜,采用X射线薄膜衍射法即X射线以低掠射角(1°～5°)入射,延长X射线在薄膜中的行程,同时将聚焦光路改为平行光光路,以提高来自薄膜的衍射强度,得到纳米硅薄膜的衍射峰。
2) plasma
等离子体
1.
Combination of non-thermal plasma and heterogeneous catalysis for removal of low concentration benzene hydrocarbons in air;
非热等离子体与催化相结合去除气相低浓度苯系物
2.
Extraction and separation of intermediates in plasma degradation of benzene;
苯等离子体降解中间产物的萃取与分离
3.
Effects of energy injection on removal of benzene hydrocarbons in the air by discharge plasma;
能量注入对放电等离子体去除气相苯系物的影响
3) plasma
等离子
1.
High efficient plasma welding technology and its application;
高效等离子焊接技术及其应用
2.
Cavitation erosion characteristics of Ni60+TiC plasma cladding layer;
Ni60+TiC等离子熔覆层的汽蚀特征
3.
Exergy analysis of thermal plasma reactor for coal gasification;
煤等离子气化反应器的火用分析
4) plasma arc
等离子弧
1.
Effects of Ti-Mg on properties of plasma arc "in-situ" welding for SiCp/Al MMCs;
Ti-Mg对SiCp/Al复合材料等离子弧原位焊接性能的影响
2.
Usage and maintenance of welding and cutting machines(62)——Usage and maintenance of plasma arc cutting machine;
焊接与切割设备的使用和维修(六十二)——空气等离子弧切割机的使用与维修
3.
Strengthening planning for grooved surface with chromium-plating with plasma arc;
槽形表面镀铬层等离子弧强化工艺规划
5) plasma beam
等离子束
1.
Fe-based alloy design in surface metallurgy by plasma beam;
等离子束表面冶金铁基合金的设计与研究
2.
Effects of compress argon arc plasma beam scanning on microstructure and composition of electroless Ni-P alloy layer;
压缩氩弧等离子束扫描对化学镀Ni-P合金镀层组织与成分的影响
3.
In view of the wear out of diesel engine cylinder liners,the high energy density plasma beam was applied to high speed scanning the liner surface of cylinder under atmospheric pressure and to make improvement treatment on the in-wall of cylinder liner partly so as to obtain the high hardness at hardened layer.
针对柴油机气缸套磨损失效现象,采用高能等离子束在常压下快速扫描气缸套内表面,对其进行局部硬化改性处理,获得了高硬度淬火硬化层。
6) plasma torch
等离子炬
1.
On base of surface metallurgy by plasma beem, plasma torch has been improved to solve burning loss and solution of WC under high temperature.
在等离子表面冶金技术的基础上,针对金属陶瓷WC在高温下易烧损、熔解的特点,对现有设备的等离子炬进行改进,设计出表面冶金金属陶瓷专用等离子炬,将单送粉系统改为双送粉系统,并采用对比试验,对等离子炬改进前后形成的冶金层组织性能进行分析比较,结果表明,改进后的等离子炬所形成的表面冶金层中的WC烧损率大大减少,第二相强化效果明显,耐磨损性能大大提高。
2.
The design of plasma torch and the arc melting system are described in detail.
分析了CuCr触头材料等离子熔炼工艺的特点,详细介绍了等离子炬的设计和熔炼实验系统。
3.
The design of plasma torch, which is the center part of surface metallurgy equipment by plasma-jet, the selection of alloying powder and processing parameter are analysed in the paper.
系统地分析和探讨了等离子束表面冶金设备的核心部件等离子炬的设计、表面冶金的合金材料的选择、表面冶金工艺的确定。
参考词条
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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