说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 约束刻蚀剂层技术(CELT)
1)  confined etchant layer technique(CELT)
约束刻蚀剂层技术(CELT)
2)  Confined etchant layer technique
约束刻蚀剂层技术
1.
Confined Etchant Layer Technique(CELT) is a new method of electrochemical micromachining, the paper introduces the composing of machine tool based on the processing features of CELT, and discusses the development and research of nanopositioner with micro load sensor.
约束刻蚀剂层技术是三维超微图形复制加工的新型技术。
2.
Electrochemical etching of single crystal GaAs (111) was performed with pyramid-like microstructure arrays by confined etchant layer technique (CELT).
以“金字塔”状的锥体阵列作为电化学模板,利用约束刻蚀剂层技术对半导体GaAs进行加工刻蚀。
3)  etching technique
蚀刻技术
4)  deep etch technology
深刻蚀技术
5)  Restrictive Technology
约束技术
1.
Restrictive Technology and the Technological Progress of Enterprises;
约束技术与企业技术进步方向
6)  technical constraint
技术约束
补充资料:刻蚀剂
分子式:
CAS号:

性质:清除基片上无用的金属化涂层的化学活性溶液。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条