1) platelet
[英]['pleɪtlət] [美]['pletlət]
片晶
1.
The microstructure and mechanical properties of in situ A12O3 platelet/Ce-TZP composites were studied.
研究了原位生长Ａｌ２Ｏ３片晶／Ｃｅ－ＴＺＰ复合材料的显微结构与力学性能。
2.
form cobalt hydroxides were synthesized through a controlled crystallization process under the certain mixing intensity, Co 2+ concentration, pH value and the protect of the inert gas and the products was fine platelet powder with high purity and high crystallinity.
通过控制结晶法，在一定的搅拌强度、一定的Ｃｏ２＋ 浓度、一定的ｐＨ值和惰性气体保护的条件下合成出高纯度和高结晶度的β－Ｃｏ（ＯＨ）２ 的片晶细粉。
2) platelets
片晶
1.
SiC platelets/C preform was infiltrated with liquid silicon to prepare reaction bonded silicon carbide(RBSC) materials.
以液Si浸渗SiC片晶和C的坯体制备了SiC片晶增韧反应烧结SiC陶瓷材料,讨论了SiC片晶的掺加分数及烧结温度对材料显微结构和力学性能的影响,并比较了所得材料与传统反应烧结材料的力学性能。
2.
Advances in the development of ceramies toughened with whiskers, particles or platelets are reviewed with primary focus on toughening mechanism by crack bridging process-es (e.
讨论了用晶须、颗粒或片晶增韧陶瓷在断裂韧性和强度上的发展。
3) wafers
[英]['weifə] [美]['wefɚ]
晶片
1.
Double-sided polishing process is a precise machining method for silicon wafers.
晶片在双面抛光加工过程中具有多向运动、受力复杂、表面材料微细去除的特征,晶片的运动和受力是影响双面抛光加工质量的主要因素。
4) wafer
[英]['weɪfə(r)] [美]['wefɚ]
晶片
1.
CdSe Detector Wafer Surface Treatment and Passivation Study;
CdSe探测器晶片表面处理和钝化研究
2.
Free-pyro black LiNbO_3 and LiTaO_3 wafers were prepared successfully by chemical reduction at (700 °C) and 450 °C respectively under a mixed atmosphere of CO_2 and H_2.
采用化学还原工艺,在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700°C和450°C退火处理,成功地制备了LN和LT黑色晶片。
3.
The wafer edge grinding technique of the semiconductor technology was discussed,and the feature was analyzed.
对半导体工艺中晶片的边缘磨削技术进行了论述,分析了晶片边缘磨削技术的特点,在此基础上,提出了一种高效、可靠的晶片边缘磨削方法。
5) crystal wafer
晶片
1.
Ultra precision-machining technology for crystal wafers;
晶片材料的超精密加工技术现状
2.
The article directly introduced crystal wafer processing and other main parameters through testing diagrams,meanwhile four inch LiNbO3 wafer s reaching level of Ningxia Orient Tantalum Industry.
通过检测图片,直观地介绍了衡量晶片加工水平各主要参数的意义;同时,介绍了宁夏东方钽业4英寸LN(LiNbO3)晶片研发的进展,并和目前国外4英寸LN晶片加工水平进行了对比。
6) wafer/silicon-on-insulator wafer
晶片/SOI晶片
补充资料：片晶
分子式：
CAS号：
性质：是结晶高聚物聚集态结构的基本结晶单元，如聚合物单晶或球晶即由片晶组成。片晶的厚度大约有10nm，横向尺寸为几微米。片晶中分子链是垂直于晶面方向折叠排列的。高聚物不同，其片晶的形状也不同。片晶的边界有规排列的无规排列，后者构成高聚物无序排列部分。片晶内的缺陷（如位错、杂质、链端等）和片晶间的连结分子束对高聚物制品的力学强度有很大影响，晶体缺陷是造成拉伸强度下降的重要原因。
CAS号：
性质：是结晶高聚物聚集态结构的基本结晶单元，如聚合物单晶或球晶即由片晶组成。片晶的厚度大约有10nm，横向尺寸为几微米。片晶中分子链是垂直于晶面方向折叠排列的。高聚物不同，其片晶的形状也不同。片晶的边界有规排列的无规排列，后者构成高聚物无序排列部分。片晶内的缺陷（如位错、杂质、链端等）和片晶间的连结分子束对高聚物制品的力学强度有很大影响，晶体缺陷是造成拉伸强度下降的重要原因。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条