1) PST crystal
PST晶体
1.
Study on Growth and Microstructure of Ti-48at% Al PST Crystals;
Ti－48at％合金PST晶体的生长与显微组织的研究
2.
An analytical micromechanical method, based on the lamellar microstructure and dislocation slip and twinning deformation mechanisms of polysynthetically twinning (PST) crystal, is used to investigate the variation of the yielding stress as function of angle θ between the load axis and the lamellar boundaries for a PST crystal.
基于γ-TiAl基PST晶体的微结构及滑移系和形变孪晶的空间晶体学位向分布的变形机制,提出了分析PST晶体 屈服应力对外载轴和片层界面夹角θ间的依赖关系的细观力学解析模型,重点考察了PST晶体的微结构和普通位错与形变孪晶 的临界分切应力(CRSS)之闻的差别对晶体屈服的影响。
3.
The compression creep behavior and creep instability of TiAl PST crystals with three orientations at 800℃ were investigated.
对三种取向的TiAl合金PST晶体在800℃条件下的压缩蠕变曲线进行了测试，并对其蠕变失稳机制进行了研究。
2) PST crystals
PST晶体
1.
The numerical results of yield strength, based on considering the lamellar microstructure and the deformation mechanisms such as ordinary slip systems and true twinnings in PST crystals composed of and phase, is obtained by using calculating of resolved shear stresses in all slip systems based on micromechanical method.
基于PST晶体的微结构和相及2相普通位错和孪晶滑移启动,结合细观力学方法,通过数值模拟两相中的各滑移系上的分切应力,得出PST晶体屈服应力和外加载荷与片层之间夹角的关系。
3) PST liposome
PST脂质体
1.
In the PST liposome of pig body, the pharmacokinetics and the effect on the performance of fattening pig were studied and the changeable curve of growth hormone in the serum as the time changed was analysed.
本文研究了生长激素 ( PST)脂质体在仔猪体内的药物代谢动力学 ,分析了血浆中生长激素浓度随时间的变化曲线 ,确定其释药模型为单室模型 ,求出了各项动力学参数 ,揭示 PST脂质体的缓释效果显著 ,缓释时间长达 7d以上。
4) sulfonated PBMA-b-PSt block ionomer
PBMA-b-PSt嵌段磺化离聚体
5) PbSc_(0.5)Ta_(0.5)O_3 (PST)
PbSc0.5Ta0.5O3(PST)
6) Fe_3O_4/PSt/TiO_2
Fe3O4/PSt/TiO2
1.
Preparation of Fe_3O_4/PSt/TiO_2 composite particles with electrical and magnetic response;
首先采用分散聚合法将自制的Fe3O4磁流体和苯乙烯反应合成有磁核的Fe3O4/PSt磁性聚合物微球,然后,用非均匀成核水解反应在Fe3O4/PSt微球外包覆无定形二氧化钛,获得Fe3O4/PSt/TiO2复合微粒。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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