1) wafer
[英]['weɪfə(r)] [美]['wefɚ]
晶片
1.
CdSe Detector Wafer Surface Treatment and Passivation Study;
CdSe探测器晶片表面处理和钝化研究
2.
Free-pyro black LiNbO_3 and LiTaO_3 wafers were prepared successfully by chemical reduction at (700 °C) and 450 °C respectively under a mixed atmosphere of CO_2 and H_2.
采用化学还原工艺,在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700°C和450°C退火处理,成功地制备了LN和LT黑色晶片。
3.
The wafer edge grinding technique of the semiconductor technology was discussed,and the feature was analyzed.
对半导体工艺中晶片的边缘磨削技术进行了论述,分析了晶片边缘磨削技术的特点,在此基础上,提出了一种高效、可靠的晶片边缘磨削方法。
2) wafers
[英]['weifə] [美]['wefɚ]
晶片
1.
Double-sided polishing process is a precise machining method for silicon wafers.
晶片在双面抛光加工过程中具有多向运动、受力复杂、表面材料微细去除的特征,晶片的运动和受力是影响双面抛光加工质量的主要因素。
3) crystal wafer
晶片
1.
Ultra precision-machining technology for crystal wafers;
晶片材料的超精密加工技术现状
2.
The article directly introduced crystal wafer processing and other main parameters through testing diagrams,meanwhile four inch LiNbO3 wafer s reaching level of Ningxia Orient Tantalum Industry.
通过检测图片,直观地介绍了衡量晶片加工水平各主要参数的意义;同时,介绍了宁夏东方钽业4英寸LN(LiNbO3)晶片研发的进展,并和目前国外4英寸LN晶片加工水平进行了对比。
4) platelets
片晶
1.
SiC platelets/C preform was infiltrated with liquid silicon to prepare reaction bonded silicon carbide(RBSC) materials.
以液Si浸渗SiC片晶和C的坯体制备了SiC片晶增韧反应烧结SiC陶瓷材料,讨论了SiC片晶的掺加分数及烧结温度对材料显微结构和力学性能的影响,并比较了所得材料与传统反应烧结材料的力学性能。
2.
Advances in the development of ceramies toughened with whiskers, particles or platelets are reviewed with primary focus on toughening mechanism by crack bridging process-es (e.
讨论了用晶须、颗粒或片晶增韧陶瓷在断裂韧性和强度上的发展。
5) platelet
[英]['pleɪtlət] [美]['pletlət]
片晶
1.
The microstructure and mechanical properties of in situ A12O3 platelet/Ce-TZP composites were studied.
研究了原位生长Ａｌ２Ｏ３片晶／Ｃｅ－ＴＺＰ复合材料的显微结构与力学性能。
2.
form cobalt hydroxides were synthesized through a controlled crystallization process under the certain mixing intensity, Co 2+ concentration, pH value and the protect of the inert gas and the products was fine platelet powder with high purity and high crystallinity.
通过控制结晶法，在一定的搅拌强度、一定的Ｃｏ２＋ 浓度、一定的ｐＨ值和惰性气体保护的条件下合成出高纯度和高结晶度的β－Ｃｏ（ＯＨ）２ 的片晶细粉。
6) wafer/silicon-on-insulator wafer
晶片/SOI晶片
补充资料：半导体晶片腐蚀
半导体晶片腐蚀
semiconductor wafer etching
5102+6HF一HZ〔SIF6〕+ZHZO 这种酸性腐蚀反应速度快，腐蚀后晶片表面光亮，但几何尺寸精度较差，而且废气和废水对环境会造成严重污染。 硅在常温下也可与碱(苛性钠、苛性钾)溶液发生化学反应: 51+ZNaOH+HZO一Na:5103+ZH:今 51+ZNaOH+ZHZO一NaZSIO;+3H:个 碱性腐蚀反应速度较慢，易于控制，废液易于处理，对环境污染较轻。但腐蚀后晶片表面光亮度较差。化学腐蚀也用于晶片清洗中，晶片在每一步加工后都要进行清洁处理，以去除上道工序中所砧污的外来物和晶体粉末。在晶片切割和研磨后，一般采用化学腐蚀或化学腐蚀和机械擦拭相结合的方法来除去晶片表面的拈污物。 抛光后的硅片，通常利用浓硫酸和过氧化氢的混合溶液，以强氧化反应除去晶片表面的有机物和金属杂质。随后用氢氟酸去除硅片表面的氧化硅膜。用氨水、过氧化氢和水的混合液可有效地除去晶片表面的微量有机物和金属杂质砧污，此种混合液对于除去表面的颗粒比较有效。盐酸、过氧化氢和水的混合液也被用来除去金属杂质的拈污。晶片经过化学腐蚀后，最终用去离子水冲洗就能获得洁净的晶片表面。 (尤重远)bandaot一jlngPlan fUsh}半导体晶片腐蚀(Semieonduetor wafer eteh-ing)晶片在研磨加工后，利用酸或碱与晶片发生非选择性化学反应，去除晶片表面因研磨加工所造成的机械损伤层的半导体晶片加工工序。 以硅单晶片的化学腐蚀处理过程为例。在通常条件下，硅与硝酸、氢氟酸单独不发生化学反应。但硅与硝酸和氢氟酸的混合液能发生下列化学反应: 51+4HNO:-一510:+ZHZO+4NO:个
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参考词条