2) Linear evaluation
线性评价
1.
Conclusions Linear evaluation can ensure the laboratorial methods accurate and credible efficiently.
方法根据多项式线性评价方法,利用统计软件进行数据拟合,结合临床目标判断数据精密度和线性程度。
3) nonlinear evaluation model
非线性评估
1.
The sensitivity of weight in nonlinear evaluation model is discussed in this paper.
分析了非线性评估中权重的敏感性问题,给出了分析的思路和计算方法,并得出判断权重敏 感的方法,定义了多维权重的敏感度,并由算例说明评价值的敏感性和权重的关系。
4) Nonlinear Pricing
非线性定价
1.
Analysis on Duopoly under Nonlinear Pricing to Product;
非线性定价下寡头垄断行业的市场格局分析
2.
Duopoly,Nonlinear Pricing and Asymmetrical Equilibrium
寡头垄断、非线性定价与非对称均衡
3.
The paper also compares the Bayesian equilibrium with the Nash equilibrium;therefore it gives a proof for nonlinear pricing from the point of view of Game Theory.
本文利用贝叶斯均衡策略研究非线性定价问题,将消费需求类型推广到三种,设计一个非线性价格机制博弈,推导出该博弈的贝叶斯均衡,得出结论:当消费者类型满足不同假设条件时,得到贝叶斯均衡策略也不同。
5) nonlinear water price
非线性水价
1.
The research is focused on nonlinear water price modeling, mechanism and its application based on the idea of demand management of the multi-sources project.
本文深入剖析了多水源水价的定价机制，建立和求解了基于需求管理理念的非线性水价模型，并开展了模型的具体应用。
6) inaccurate evaluation
非准确性评价
1.
For existence inaccurate evaluation,control them effectively.
并针对可能存在的非准确性评价进行有效控制,从而最大程度上保证能够客观评价并为用户合理选择网格服务。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条