1) separation of oxygen and argon
氧氩分离
2) separation of N2 and Ar
氮氩分离
4) argon ion
氩离子
1.
A low energy argon ion beam has been applied to bombard the backsurface of silicon wafers after the ultrahigh frequency low power transistors are fabricated, and the noise coefficient of low frequency and high frequency can be decreased effectively, the characteristics frequency and current gain of direction current can be increased.
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后 ,采用低能量氩离子束轰击芯片背面 ,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数 。
2.
when low energy argon ion beam bombards the backsurface of silicon wafers, after the high frequency low power transistor and ultrahigh frequency low power transistor are fabricated, it can increase effectively the D-C current gain hFE, the A-C current gain h21 and the character frequency fT, and improve the collector-base junction breakdown characteristics.
在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。
5) Argon ion source
氩离子源
补充资料：氩39-氩40法测年
分子式：
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条