1) Pulsed laser molecular beam epitaxy
脉冲激光分子束外延
2) L-MBE
激光分子束外延
1.
Highly oriented ZnO thin films were prepared on C-plane sapphire substrates by laser molecular beam epitaxy(L-MBE) at the growth temperature of 250,300,350,400 and 450℃.
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。
2.
High quality ZnO films are deposited on SiN_x/Si substrate by laser molecular beam epitaxy(L-MBE).
采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密。
3.
C-axis highly oriented ZnO thin films were prepared on C-plane sapphire substrates by laser molecular beam epitaxy(L-MBE) at the growth temperature of 250℃,300℃,350℃,400℃ and 450℃.
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。
3) Laser Molecular Beam Epitaxy
激光分子束外延
1.
The Technique of Laser Molecular Beam Epitaxy for Thin Films;
激光分子束外延制备薄膜技术
2.
Compared with metal organic chemical vapor deposition and magnetron sputtering, laser molecular beam epitaxy is an advanced technology developed in recent years and has stronger and stronger co.
与金属有机物化学气相沉积和磁控溅射相比,激光分子束外延技术(L MBE)是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术,在氧化锌薄膜生长的研究中因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力。
3.
High quality crystalline zinc oxide thin films were grown on sapphire substrate with lower temperature by laser molecular beam epitaxy (L-MBE) and using a sintered ZnO ceramic as target.
用激光分子束外延(lasermolecularbeamepitaxy,L MBE))工艺,采用 这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜。
4) L-MBE growth process
激光分子束外延工艺
5) Laser molecular beam epitaxy (L MBE)
激光分子束外延(L-MBE)
补充资料：分子束外延
分子式：
CAS号：
性质：在超高真空条件下，精确控制蒸发源给出的中性分子束流强，在基片上外延成膜的技术。MBE设备由真空系统，蒸发源，监控系统和分析测试系统构成。已在GaAs、InP、A1GaAs、InGaP、InGaAs等III-V族半导体单晶膜外延，掺杂控制(原子面掺杂、平面掺杂)上取得良好效果。另外制备出Ⅱ～Ⅵ族ZnS单晶膜；CaF2、SrF2、BaF2等绝缘膜；PtSi、Pd2Si、NiSi2、CoSi2等硅化物；并制备出多种异质外延构件和器件。用MBE法在(100)SrTiO3和(100)Zr基片上生长的yBa2Cu3O7膜Tc分别为88K和87K。
CAS号：
性质：在超高真空条件下，精确控制蒸发源给出的中性分子束流强，在基片上外延成膜的技术。MBE设备由真空系统，蒸发源，监控系统和分析测试系统构成。已在GaAs、InP、A1GaAs、InGaP、InGaAs等III-V族半导体单晶膜外延，掺杂控制(原子面掺杂、平面掺杂)上取得良好效果。另外制备出Ⅱ～Ⅵ族ZnS单晶膜；CaF2、SrF2、BaF2等绝缘膜；PtSi、Pd2Si、NiSi2、CoSi2等硅化物；并制备出多种异质外延构件和器件。用MBE法在(100)SrTiO3和(100)Zr基片上生长的yBa2Cu3O7膜Tc分别为88K和87K。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条