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1)  positron annihilation lifetime spectroscopy
正电子湮灭寿命谱
1.
The sulfonated polyetherketone with cardo group(SPEK-C) films made by different sulfonation degrees and solvent evaporation shows the different microstructure by positron annihilation lifetime spectroscopy(PALS) and atomic force microscopy(AFM).
利用正电子湮灭寿命谱(PALS)法及原子力显微镜(AFM),研究了磺化及溶剂蒸发对(磺化)酚酞侧基聚芳醚硐(SPEK-C)膜制备的影响。
2)  Positron annihilation lifetime spectra (PALS)
正电子湮没寿命谱(PALS)
3)  positron annihilation lifetime
正电子湮没寿命谱
1.
The influence of F,Y co-doping on the luminescence properties and defects of PbWO-4 (PWO) have been investigated by correlated measurements of transmission spectra, light yield, photoluminescence spectra, thermoluminescence and positron annihilation lifetime.
通过透射光谱、光产额(LY)和光致发光等发光性能测试,研究了F,Y双掺钨酸铅(PbWO4,简称PWO)晶体的发光性能,并利用热释光曲线和正电子湮没寿命谱对F,Y双掺PWO晶体中的缺陷种类和变化进行了分析。
2.
Transmission, emission, positron annihilation lifetime and x-ray photoelectron spectra of different trivalent ions doped and undoped PWO are reported.
通过透射光谱、x射线激发发射光谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的几种不同 +3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和x光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究 。
3.
The defects in PbWO 4 crystal have been studied by means of positron annihilation lifetime and X-ray photoelectron spectra.
利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对钨酸铅晶体辐照前后的微观缺陷进行了研究 ,并对其抗辐照损伤性能及微观机理进行了初步探讨 。
4)  positron annihilation lifetime spectrum
正电子湮没寿命谱
1.
Transmission, emission, positron annihilation lifetime spectrum and X-ray photoelectron spectra(XPS)of PWO∶Nb and undoped PWO were reported.
通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了布里奇曼 (Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对其微观缺陷进行了深入研究。
5)  Positron annihilation lifetime spectra
正电子湮没寿命谱技术
6)  positron/positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS)
正电子(素)湮没寿命谱
补充资料:正电子湮没谱学
      一种研究物质微观结构的方法。正电子是电子的反粒子,两者除电荷符号相反外,其他性质(静止质量、电荷的电量、自旋)都相同。正电子进入物质在短时间内迅速慢化到热能区,同周围媒质中的电子相遇而湮没,全部质量(对应的能量为2meс2)转变成电磁辐射──湮没γ光子(见电子对湮没)。50年代以来对低能正电子同物质相互作用的研究,表明正电子湮没特性同媒质中正电子-电子系统的状态、媒质的电子密度和电子动量有密切关系。随着亚纳秒核电子学技术、高分辨率角关联测量技术以及高能量分辨率半导体探测器的发展,可以对正电子的湮没特性进行精细的测量,从而使正电子湮没方法的研究和应用得到迅速发展。现在,正电子湮没谱学已成为一种研究物质微观结构的新手段。
  
  实验测量方法主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。
  
  正电子寿命谱方法  通常用22Na作正电子源,源强为几微居里到几十微居里。测量设备类似核能谱学中常用的符合系统,称之为正电子寿命谱仪(见彩图),图1是快-快符合系统方框图。谱仪时间分辨率一般为3×10-10s左右,最好的已达1.7×10-10s。
  
  22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。用1.27MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511keV的湮没辐射γ光子标志正电子的"死亡",并作为终止信号。两个信号之间的时间就是正电子的寿命。在凝聚态物体中,自由正电子湮没的平均寿命在(1~5)×10-10s范围内。
  
  双γ角关联方法  图2是一维长狭缝角关联测量系统示意图。正电子源通常为64Cu、22 Na、Co,测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。该方法要求高精度的机械设备和强源(几十毫居里的点源),典型的角分辨率为0.5mrad。有些工作采用多探测器系统可作两维动量分布的测量。
  
  测量多普勒增宽谱  使用高能量分辨率Ge(Li)或高纯锗半导体探测器,测量湮没辐射的能谱。能量分辨率可达1keV(对85 Sr,514keV的γ射线)左右。这种方法的优点是只需用几微居里的弱源,获取数据快,适用于动态研究。缺点是获取的数据粗糙,对湮没电子动量的分辨不如角关联实验好,典型情况下差四倍。
  
  正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。在固体物理中应用最广泛。可用来研究晶体缺陷(空位、位错和辐照损伤等),固体中的相变,金属有序-无序相变等。
  
  在无损检验中可用来探测机械部件(如轮机叶片、飞机起落装置)的疲劳损伤,可在小裂缝出现之前作出预报。在化学中可用于研究有机化合物的化学反应,鉴定有机物结构中的碳正离子,研究聚合物的微观结构等。在生物学中,研究生物大分子在溶液中的结构。医学上,用正电子发射断层扫描仪,可得到人的心脏、脑和其他器官的断面图像,研究它们的新陈代谢过程,作出疾病的早期诊断及肿瘤的早期发现。(见彩图)
  
  电子偶素作为惟一的轻子体系,是验证量子电动力学的一个理想的体系。
  

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参考词条